Che memoria quel chip!

Il chipmaker europeo Infineon ha annunciato la costruzione della più piccola cella di memoria flash al mondo, un elemento che nel prossimo futuro consentirà la produzione di memory card da oltre una decina di gigabyte

Monaco di Baviera - Infineon ha svelato quella che afferma essere la più piccola cella di memoria flash al mondo, un componente che, secondo il chipmaker europeo, segna la via a chip di memoria non volatile con capacità notevolmente superiori a quelle oggi sul mercato.

La nuova cella di memoria ha una dimensione di 20 nanometri, circa 5.000 volte inferiore a quella di un capello. Per dare risalto alla propria creatura, Infineon sottolinea che le celle di memoria utilizzate nelle attuali memorie flash misurano 90 nm.

Una cella rappresenta la minima unità fisica di memorizzazione e, nelle memorie flash, può in genere contenere uno o due bit.
Cella di memoria di InfineonInfineon sostiene che la sua cella consentirà, entro pochi anni, lo sviluppo di chip di memoria non volatile da 32 Gbit, una densità di memorizzazione otto volte superiore a quella degli attuali chip flash: questo si traduce, per i produttori di memory card, nella possibilità di assemblare schede con tagli superiori ai 10 GB (ogni scheda, come noto, somma generalmente la capacità di più chip di memoria). Tale progresso andrà a particolare beneficio del mercato dei dispositivi elettronici portatili, quali telefoni cellulari, PDA, fotocamere e videocamere digitali, player multimediali, pen drive, ecc.

Per la costruzione della nuova cella da 20 nm, Infineon si è avvalsa di transistor con struttura tridimensionale, una soluzione ormai sempre più gettonata nell'industria delle memorie. In particolare, il colosso tedesco ha utilizzato una tecnologia chiamata FinFET (Fin Field Effect Transistor), con cui è possibile fabbricare le porte dei transistor, o "gate", di dimensioni inferiori a 10 nm. Tale tecnologia, secondo quanto spiegato da Infineon, ha permesso non soltanto di abbattere quelle che fino a pochi anni fa venivano considerate barriere fisiche insuperabili, ma anche di produrre celle di memoria più longeve e in grado di consumare meno: se le memorie oggi sul mercato richiedono approssimativamente 1.000 elettroni per memorizzare un singolo bit, Infineon afferma che quelle di prossima generazione ne richiederanno solo 100.
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