Samsung, nuovo primato nella produzione di DRAM

L'azienda annuncia l'avvio del processo produttivo da 70 nanometri per la produzione di chip DRAM

Korea - Samsung ha svelato oggi di aver applicato per prima il processo produttivo da 70 nanometri nella costruzione di chip DRAM.

Secondo il produttore coreano, questo processo non è che la naturale evoluzione dei processi, attualmente utilizzati, da 80 e 90 nanometri.

Tuttavia, secondo le fonti, la produttività di chip per wafer sarà almeno del 100 per cento superiore di quella ottenuta dalla tecnologia da 90 nanometri.
Il limite è stato superato utilizzando la tecnologia "Samsung's Metal-Insulator-Metal, ed una nuova architettura 3D per transistor chiamata "Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor".

Queste tecnologie sono state applicate per superare i limiti attuali e per fornire tempi di refresh inferiori, essenziali nella produzione di chip da 512 Mbit.

Samsung raggiunge così un nuovo record, dopo che per prima aveva sviluppato, nel 2003, il chip DRAM da 80 nanometri.

Secondo le fonti, la tecnologia sarà utilizzata da Samsung dalla seconda metà del 2006 per moduli da 512 MB, 1 GB e 2 GB.

G.F.
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