Intel ritarda Itanium 3 e ritocca Xeon

Cambiano i progetti sulle CPU server: la nuova roadmap prevede il posticipo della prima versione dual-core di Itanium, Montecito, e il rimpiazzo del futuro Xeon Whitefield a 4 core con uno più pompato

San Jose (USA) - Non senza imbarazzo, Intel ha comunicato che il debutto dell'Itanium di prossima generazione, noto con il nome in codice di Montecito, slitterà in avanti di alcuni mesi. E per giunta, avrà qualche "cavallo" in meno del previsto.

Il colosso di Santa Clara ha spiegato che i primi modelli di Montecito sono ora attesi per la metà del prossimo anno, un ritardo motivato da non meglio specificati "problemi di qualità".

"Abbiamo già prodotto i primi campioni di Montecito, e le performance sono molto soddisfacenti, tuttavia abbiamo deciso che ci serve più tempo per effettuare i test necessari a soddisfare i requisiti di elevata qualità di un prodotto così importante", ha affermato William Giles, un portavoce di Intel.
Intel aveva inizialmente pianificato il debutto di Montecito per il primo trimestre del 2006, ma di recente era trapelata una roadmap che sembrava indicare come i primi modelli potessero essere lanciati persino entro la fine di quest'anno. Il gigante californiano aveva anche previsto che alcuni chip della serie Montecito avrebbero integrato la nuova tecnologia di risparmio energetico denominata Foxton che, tra le altre cose, doveva consentire di spingere la frequenza del front-side bus (FSB) a 667 MHz. Alla luce di quanto detto da Intel all'IDF, anche l'implementazione di Foxton verrà rimandata a data da destinarsi: ciò significa che l'FSB della prossima generazione di Itanium girerà ad un massimo di 533 MHz e che il clock dei chip sarà leggermente inferiore a quello pronosticato.

Con Montecito sono scivolate in avanti anche le successive evoluzioni di Itanium: Montvale è ora previsto per il 2007, mentre Tukwila sarà commercializzato non prima del 2008.

Intel ha anche deciso di cancellare Whitefield, nome in codice di quel chip che nel 2007 avrebbe dovuto portare all'interno della famiglia di processori Xeon MP un'architettura a quattro core. Quel ruolo sarà ora di Tigerton, un processore che dovrebbe comparire nella stesso periodo in cui era atteso Whitefield, e portare con sé novità più sostanziali.

Intel ha spiegato che Tigerton sarà sensibilmente più performante di Whitefield, e questo soprattutto grazie all'adozione di una nuova tecnologia di interconnessione che, mandando finalmente in pensione il tradizionale front-side bus condiviso, fornirà ad ogni processore una connessione diretta con il chipset di sistema. Con questo aggiornamento Intel si allinea alle scelte già fatte dalla rivale AMD, che nei suoi processori di fascia alta utilizza già da tempo la Direct Connect Architecture: questa consiste di un bus punto-a-punto ad alta velocità che connette direttamente la CPU agli altri processori del sistema, al controller di memoria e al sottosistema di I/O. Questa soluzione, che contribuisce ad eliminare i colli di bottiglia tipici degli FSB, è uno dei più importanti assi nella manica di Opteron. Per quanto riguarda il controller di memoria, Intel lo integrerà nei suoi processori Xeon a partire probabilmente dal 2008. The Register sostiene che le prossime modifiche all'architettura di Xeon sono destinate a ritardare lo sviluppo della preannunciata piattaforma che, in futuro, unificherà i socket di Xeon e Itanium.

All'IDF Intel ha anche annunciato che sulla sua nuova scheda madre Micro ATX, dedicata ai sistemi di fascia bassa basati su Pentium 4 e Celeron D, adotterà il chipset Xpress 200 di ATI. È la prima volta che il colosso californiano utilizza nelle proprie motherboard chipset prodotti da terze parti. La scelta è stata dettata dall'esigenza di far fronte agli attuali problemi di fornitura di chipset di fascia bassa: in questo periodo Intel ha infatti preferito riservare buona parte della capacità produttiva delle sue fabbriche alla produzione di CPU.

Non sembra un caso che proprio negli scorsi giorni Intel abbia pianificato un investimento di 650 milioni di dollari per espandere la capacità produttiva della propria fabbrica in Nuovo Messico. Questo impianto è attrezzato per produrre wafer di silicio da 300 millimetri di diametro, dunque sensibilmente più grandi di quelli tradizionali (da 200 mm): tale caratteristica, secondo il chipmaker, le consentirà di ridurre ulteriormente i costi ed incrementare le rese di produzione.
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