Una cella SRAM di un micron quadrato

Si tratta del primo componente in silicio basato sulla tecnologia di processo da 90 nanometri di Intel. Ecco i dettagli dello sviluppo

Roma - I ricercatori Intel hanno realizzato quella che hanno definito "la cella di memoria SRAM (Static Random Access Memory) più piccola oggi disponibile nel settore, che misura appena un micron quadrato".

Si tratta di celle che rappresentano gli elementi di base dei chip di memoria. Sono state incorporate in dispositivi SRAM completamente funzionali, prodotti utilizzando la tecnologia di processo da 90 nm (nanometri) di Intel. Uno sviluppo che rappresenta uno dei tasselli portanti del passaggio al nuovo processo di produzione che Intel intende varare nel 2003.

I chip SRAM vengono comunemente utilizzati come test per sviluppare la nuova generazione di processi di produzione di logica. La riduzione delle dimensioni della cella di memoria sono significative in quanto consentiranno di aumentare le prestazioni dei microprocessori contenendo i costi, mediante l'aggiunta di una quantità maggiore di memoria cache on die e aumentando la densità complessiva di logica.
"La cella SRAM di Intel di un micron quadrato ha definito un nuovo benchmark di densità per la tecnologia del silicio" - ha baldanzosamente commentato Sunlin Chou, Senior Vice President e General Manager del Technology and Manufacturing Group di Intel. "Questo risultato offre un'anticipazione sulla tecnologia di processo da 90 nm per i microprocessori e altri prodotti".

Intel conta di sviluppare molti prodotti basati su questo processo, tra cui processori, chipset e prodotti per le comunicazioni. L'azienda ha già dichiarato di voler utilizzare la tecnologia da 90 nm esclusivamente su wafer da 300 mm.