Più capienti le flash di Intel e Samsung

Il colosso californiano ha presentato i primi chip di memoria flash NOR a 65 nanometri, capaci di memorizzare una quantità di informazioni doppia rispetto ai predecessori. Samsung ha invece svelato chip NAND a 70 nm

Santa Clara (USA) - Dopo essersi servita della tecnologia di processo a 65 nanometri per migliorare il rapporto performance/consumi della sua ultima generazione di CPU, Intel ha ora utilizzato questa stessa tecnologia per produrre il primo campione di memoria flash NOR con densità di 1 Gigabit (128 MB).

Il passaggio dalla tecnologia a 90 nm verso quella a 65 nm, insieme alla tecnologia Multi Level Cell, ha permesso ad Intel di raddoppiare la densità di memorizzazione dei suoi chip flash NOR, che in precedenza era di 512 Mbit. Il prossimo anno il colosso di Santa Clara sarà in grado di produrre chip flash NOR da 2 Gbit, pari a 256 MB, basati su circuiti a 45 nanometri: ciò apre la strada all'integrazione, nei cellulari, di svariate centinaia di megabyte di memoria.

I campioni dei chip NOR da 1 Gbit saranno disponibili per i clienti alla fine del secondo trimestre del 2006, mentre i primi dispositivi che ne faranno uso dovrebbero arrivare sul mercato verso la fine dell'anno.
Le memorie flash hanno, come noto, la capacità di conservare le informazioni anche in assenza di alimentazione, rendendole così particolarmente adatte all'uso nei dispositivi mobili. I chip flash NOR sono primariamente utilizzati come memoria di sistema in telefoni cellulari, PDA e in altri dispositivi embedded, dove in genere hanno il compito di immagazzinare dati personali, fotografie, musica e video. I vantaggi dell'architettura NOR sono un'elevata affidabilità nel tempo ed un veloce accesso in lettura. Le memorie NAND, che hanno in genere densità più elevate e migliori velocità in scrittura, si sono invece affermate come lo standard per le memory card ed altri dispositivi di memoria esterni.

In contemporanea all'annuncio di Intel, Samsung ha comunicato l'avvio della produzione in volumi dei primi chip flash NAND da 1 Gbit costruiti con un processo a 70 nm. Il colosso coreano sostiene che i suoi nuovi chip, commercializzati con il nome OneNAND, combinano i vantaggi delle memorie NAND con quelli delle memorie NOR: in altre parole, forniscono performance bilanciate in lettura e scrittura. Il primo target delle OneNAND saranno gli hard disk a stato solido e le fotocamere digitali.
TAG: memorie
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