Samsung pronta per Rambus a 576 MB

Il colosso asiatico ha raddoppiato la capacitÓ di un singolo chip Rambus DRAM ed Ŕ ora in procinto di fabbricare moduli RIMM da 576 MB

Samsung pronta per Rambus a 576 MBSeoul (Corea) - [Samsung[http://www.samsung.com/]], uno dei primi chipmaker ad essersi accordata con [Intel[http://www.intel.com/]] per la produzione delle nuove memorie Rambus DRAM, ha annunciato di aver concluso lo sviluppo di chip RDRAM da 0,17 micron e 288 Mbit di capacitÓ, il doppio di quelli attualmente in produzione. Con la pi¨ alta densitÓ di fabbricazione raggiunta, il colosso coreano sarÓ in grado di produrre moduli RIMM (Rambus In-line Memory Module) da 576 MB, costituiti da 16 chip da 288 Mbit. La produzione, comunque, non avrÓ inizio prima della seconda metÓ di quest'anno. Per febbraio Samsung si aspetta di raggiungere una capacitÓ produttiva mensile pari a circa 2 milioni di chip RDRAM da 144 Mbit, un taglio che a dicembre ritornerÓ sul milione di unitÓ mensili a favore dei nuovi chip da 288 Mbit. A differenza delle memorie SDRAM, attualmente in grado di raggiungere i 266 MHz di clock, le memorie RDRAM adottano una tecnologia che pu˛ raggiungere sviluppi molto pi¨ ampi, arrivando a supportare anche fino a 800 MHz di clock. Resta da vedere quando il loro rapporto prezzo/prestazioni potrÓ arrivare a battere le economiche, e per ora sufficientemente veloci, SDRAM.