IBM svela il transistor ultra-veloce

Migliorando ulteriormente la tecnologia basata su nanotubi in carbonio, Big Blue è riuscita a produrre transistor velocissimi con tecniche tradizionali. Il futuro appare più vicino

IBM svela il transistor ultra-veloceYorktown Heights, N.Y. (USA) - Continua la maratona di IBM nella messa a punto di soluzioni alternative al silicio per la costruzione dei transistor. Big Blue ha annunciato di essere riuscita a migliorare ulteriormente la tecnologia basata sui nanotubi - sottili cilindri composti da atomi di carbonio le cui dimensioni sono fino a 50.000 volte più piccole di quelle di un capello - creando il transistor più piccolo e veloce al mondo.

Big Blue, che nel recente passato era già riuscita a creare matrici di transistor composti da nanotubi in carbonio, sostiene di aver prodotto una nuova generazione di nanotubi capaci di convogliare il doppio della corrente elettrica rispetto ai più veloci prototipi di transistor in silicio. Questa caratteristica, ha spiegato IBM, si traduce in un netto incremento della velocità del transistor e, di conseguenza, dei chip che integreranno questa nuova tecnologia.

Gli scienziati di IBM sono particolarmente soddisfatti del risultato anche per il motivo che questo è stato ottenuto avvalendosi degli stessi processi produttivi oggi utilizzati per i transistor in silicio: questo potrebbe significare, dunque, che l'era dei nanotubi non è più così lontana.
"La dimostrazione che i nanotubi in carbonio fanno meglio dei transistor in silicio apre le porte ad un numero maggiore di indagini relative alla viabilità commerciale dei nanotubi", ha commentato Phaedon Avouris, manager of nanoscale science di IBM Research. "I nanotubi in carbonio sono già il primo candidato a rimpiazzare il silicio quando le caratteristiche degli attuali chip non permetteranno di spingere oltre i processi di miniaturizzazione, una barriera fisica che ci si aspetta di raggiungere entro 10-15 anni".

Lo scorso anno IBM ha svelato la prima tecnica per produrre in serie matrici di transistor basati su nanotubi che evitasse di separare meticolosamente i nanotubi con caratteristiche di conduttività differenti.
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