IBM svela super DRAM per processori

Il big di Armonk ha svelato un nuovo tipo di Embedded DRAM con cui conta, già dal prossimo anno, di rimpiazzare le memorie SRAM nei processori Power e Cell e moltiplicarne così la quantità di cache integrata su chip

San Francisco (USA) - Triplicare in poco più di un anno la quantità di memoria cache oggi disponibile sui processori. È quanto ha promesso IBM presso l'International Solid State Circuits Conference (ISSCC), un evento in cui Big Blue ha presentato un nuovo tipo di memoria eDRAM (Embedded DRAM)) capace di competere con la velocità tipica delle memorie SRAM.

Rispetto alle Static Random Access Memory, utilizzate come cache in buona parte dei processori sul mercato, le eDRAM possono sfruttare due caratteristiche peculiari della tecnologia Dynamic Random Access Memory: la maggiore densità, che si traduce nella possibilità di costruire die di silicio più piccoli o di incrementare la quantità di cache integrata su chip, e il minor consumo di energia in stand-by, che va a beneficio sia della bolletta che dell'autonomia dei notebook.

Fino ad oggi, però, i chip eDRAM non erano abbastanza veloci per rimpiazzare completamente le memorie SRAM, e per giunta erano decisamente più complessi (e dunque costosi) da produrre. Ora IBM afferma di essere riuscita a superare questi ostacoli grazie all'impiego di nuove tecniche di progettazione e produzione dei circuiti. Le nuove memorie eDRAM del gigante di Armonk hanno una latenza di 1,5 nanosecondi e un cycle time di 2 ns, valori inferiori di un ordine di grandezza rispetto a quelli delle comuni DRAM e in linea con quelli delle SDRAM utilizzate negli odierni processori.
Chip eDRAM di IBMRimpiazzando le SDRAM con le eDRAM, IBM afferma che è possibile triplicare da subito l'ammontare di cache integrata sui moderni processori, portandola a 48 MB ed oltre, e raddoppiarne di conseguenza le performance.

"Oggi mettere 24-36 MB di memoria su un chip significa costruire die da 600 millimetri quadrati", ha spiegato Subramanian Iyer, capo ingegnere di IBM. "Utilizzando la nostra tecnologia eDRAM è possibile mettere la stessa quantità di memoria su un die non più grande di 300-350 mm quadrati".

L'esempio più lampante è dato dall'ultima generazione di processori Itanium 2, i cui 24 MB di cache integrata su chip trovano posto su un die di poco inferiore ai 600 mm quadrati.

Gli attuali prototipi di eDRAM sono stati costruiti con un processo a 65 nm silicon-on-insulator, ma IBM conta di avviare la produzione in serie di questi chip in concomitanza con la commercializzazione, prevista per l'inizio del 2008, dei primi processori Power e Cell da 45 nm. È presumibile che di questa tecnologia possa beneficiare anche AMD, che come noto sta collaborando con IBM nello sviluppo della tecnologia di processo a 45 nm.

Big Blue ha già utilizzato la tecnologia eDRAM nei propri processori Power che equipaggiano i supercomputer Blue Gene/L ma, secondo eetimes.com, fino ad oggi non è stata in grado di portare questa tecnologia sul mercato mainstream. Wikipedia ricorda come le memorie eDRAM siano correntemente utilizzate anche in molte console da gioco, incluse PlayStation 2, PSP, Wii e Xbox 360.

Un portavoce di Intel ha dichiarato al New York Times di essere piuttosto scettico sulla tecnologia di IBM, soprattutto per quel che concerne i costi, che in passato erano decisamente più elevati di quelli degli altri tipi di memorie embedded. Inutile ricordare come Intel e IBM siano avversarie di vecchia data, oggi ancor di più se si considera che Big Blue è la più stretta partner di AMD.

Le tecnologie candidate a rimpiazzare le SRAM sono molte, e la stessa Intel sta lavorando ad un nuovo tipo di memorie dette Floating Body Cell.
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