Santa Clara (USA) – Nella storia delle memorie non volatili il 2007 verrà ricordato come l’anno in cui la tecnologia phase-change RAM (PRAM), promettente alternativa alle NOR flash e non soltanto, ha preso la via del mercato. Entro la fine della primavera, e dopo anni di ricerca, Intel è infatti pronta a consegnare i primi campioni di PRAM ai produttori di device.
La tecnologia PRAM, approfondita in questo articolo di Wikipedia, combina la velocità tipica delle memorie DRAM con la capacità delle memorie flash di conservare i dati anche in assenza di corrente.
Intel afferma che i suoi imminenti chip PRAM da 128 Mbit possono fornire velocità di scrittura e lettura fino a 1.000 volte maggiori a quelli delle Flash, una caratteristica che nei dispositivi mobili (PDA, smartphone ecc.) potrebbe ridurre significativamente il crescente divario di performance tra processori e memoria.
Le PRAM promettono di migliorare le memorie flash anche in fatto di affidabilità e durata nel tempo : il chipmaker di Santa Clara ha detto che i propri chip sono in grado di sopportare oltre 100 milioni di cicli di lettura/scrittura, un numero almeno 100 volte superiore a quello delle flash, e di garantire la conservazione dei dati per oltre 10 anni.
Intel ha sviluppato la propria implementazione della tecnologia PRAM insieme alla nostrana STMicroelectronics , da tempo impegnata nella ricerca di alternative più efficienti alle flash.
Sulle memorie PRAM stanno lavorando anche diversi altri colossi del settore , fra cui IBM , che lo scorso dicembre ha presentato un chip sperimentale basato su una nuova lega germanio-antimonio, e Samsung , che a settembre aveva invece svelato un prototipo da 512 Mbit .
Intel prevede di avviare la produzione in volumi dei suoi chip PRAM entro la fine dell’anno.
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8 mar 2007