Intel insegue i transistor treddì

Il colosso di Santa Clara sta lavorando ad una nuova generazione di transistor con caratteristiche tridimensionali che, in futuro, estenderanno la vita alle tecnologie basate sul silicio. Ma l'attesa non sarà breve

Santa Clara (USA) - A ridosso dell'Intel Developer Forum, un evento durante il qualche Intel ha delineato le sue nuove strategie per il futuro e ha annunciato nuovi prodotti e tecnologie, il big di Santa Clara sembra avere ancora qualche colpo in canna. Ieri il colosso ha infatti svelato un progetto che porterà alla costruzione di transistor "3D", una definizione che nel recente passato è stata attribuita anche ad altre tecnologie di produzione dei chip e che in questo caso è legata alla disposizione spaziale di questi transistor, la cui peculiarità è quella di adottare tre gate.

Il gate, che nei transistor tradizionali è unico, funziona essenzialmente come un conduttore e regolatore di elettricità: raddoppiando o triplicando il suo numero è possibile far passare attraverso un transistor più elettricità e, in questo modo, incrementare le prestazioni di un chip.

I transistor multigate sono in via di sperimentazione da parte di un po' tutti i più grossi chipmaker, fra cui IBM e AMD, che hanno recentemente dimostrato transistor a doppio gate.
Il transistor a triplo gate di Intel è stato battezzato Tri-Gate e costituisce, secondo il colosso dei chip, un elemento cruciale nella corsa verso lo sviluppo di processori sempre più veloci e in grado di consumare meno. Le nuove tecnologie, come quella Tri-gate di Intel o Fin-Fet di IBM, AMD e altri produttori, hanno l'obiettivo di estendere quanto più possibile la vita dei chip in silicio e preparare l'avvento dei processori con 1 miliardo ed oltre di transistor.

Intel ha spiegato che i suoi transistor, a causa della loro configurazione non planare all'interno degli strati di silicio del chip, si comportano in modo simile agli oggetti tridimensionali. Queste caratteristiche, e l'adozione di tre gate, possono ridurre sensibilmente la dispersione di corrente elettrica: dispersione che in un transistor basato sull'imminente tecnologia a 90 nanometri può arrivare a dimezzare l'energia transitata attraverso il gate. Il problema si fa particolarmente sentire con l'avanzare della miniaturizzazione dei transistor e il raggiungimento, per alcuni loro componenti, di dimensioni pari a pochi atomi.

Intel sostiene che i transistor Tri-Gate potranno essere prodotti con le attuali tecnologie litografiche e arriveranno sul mercato non prima della seconda metà di questo decennio.