Samsung e Sun svelano un super SSD

Seoul (Corea del Sud) – I dischi a stato solido stanno diventando una scelta sempre più appetibile anche nel mondo dei server e dei sistemi di storage, ambiti nei quali possono offrire livelli di affidabilità, performance e risparmio energetico più elevati rispetto a quelli forniti dagli hard disk magnetici. La maggior limitazione dei drive flash resta però la “data di scadenza” relativamente breve, che negli SSD di classe enterprise si aggira attualmente sui 50mili cicli di riscrittura per singola cella. Con l’aiuto di Sun , Samsung ha ora sviluppato una nuova generazione di memorie flash che promette di estendere significativamente questo limite.

Il produttore coreano ha svelato un nuovo dispositivo di memoria NAND flash single-level-cell (SLC) capace, a suo dire, di sopportare un numero di riscritture cinque volte maggiore rispetto agli SSD per server oggi sul mercato. Attualmente una tipica memoria NAND flash SLC “regge” tra i 50mila e i 100mila cicli di cancellazione/scrittura.

Sun, che ha collaborato allo sviluppo e al testing delle nuove memorie, si aspetta che gli SSD di prossima generazione forniranno la longevità più elevata fra i dispositivi di storage enterprise. Questo renderà i dischi flash di Samsung particolarmente adatti ai server mission-critical 24/7 e alle applicazioni che fanno un uso particolarmente intensivo delle memorie di massa.

Samsung ha già sviluppato un prototipo di chip NAND SLC “a lunga durata” da 8 Gbit, ma già entro la fine dell’anno Samsung conta di produrre memorie a densità più elevata.

Secondo il produttore coreano una memoria SLC di nuova generazione è in grado di fornire un rapporto tra numero di trasferimenti per secondo (I/OPS) e watt consumati fino a 100 volte superiore a quello di un disco meccanico. Ciò si traduce in un sostanziale risparmio energetico per le aziende di grandi dimensioni.

Sun dovrebbe adottare gli SSD di nuova generazione su alcuni dei propri server di fascia alta, ma l’azienda non ha ancora svelato i propri piani in merito. Ignoti, al momento, anche i dettagli tecnici relativi alle nuove memorie di Samsung.

Solo pochi giorni fa un gruppo di scienziati giapponese ha annunciato una memoria NAND flash di nuova concezione che può essere riscritta fino a 100 milioni di volte. I tempi di commercializzazione di tali memorie, tuttavia, appaiono ancora piuttosto lunghi.