San Francisco (USA) – Durante l’International Electron Devices Meeting (IEDM), un evento che si è tenuto negli scorsi giorni a San Francisco, AMD ha presentato alcune novità tecnologiche riguardanti i transistor e le celle di memoria; novità che, secondo l’azienda, potrebbero essere applicate alla produzione di una nuova generazione di chip già a partire dal 2005.
?I laboratori di AMD sono già a buon punto nello sviluppo dei transistor e tecnologie di memoria di prossima generazione che, una volta perfezionati, porteranno i prodotti dei nostri clienti a livelli di prestazione, connettività e semplicità di utilizzo mai raggiunti in precedenza?, ha affermato Craig Sander, vice president of process technology development di AMD.
Presso lo IEDM, AMD presenterà tre relazioni tecniche che mostrano i recenti risultati della propria ricerca attualmente in corso sulle strutture dei transistor del futuro. Principale parte funzionante di un microchip, il transistor è fondamentalmente uno switch microscopico che utilizza un ?gate?, ovvero un sottilissimo conduttore, per “accendere” e “spegnere” il flusso di corrente elettrica.
AMD ha fornito i dettagli sulla ricerca condotta con l?Università di Berkeley su un nuovo tipo di transistor che potrebbe sostituire gli attuali transistor planari, standard del settore, con quelli di tipo Fin Field Effect Transistor (FinFET), in via di sviluppo anche presso i laboratori di IBM. Questa nuova struttura utilizza un solo sottile strato verticale di silicio (fin) per creare due gate invece di uno. Questo raddoppia la corrente elettrica che può essere mandata attraverso il transistor migliorandone le caratteristiche di commutazione: il risultato, secondo gli scienziati, è l’ottenimento di prestazioni migliori e geometrie sempre più piccole. Fra i vantaggi della tecnologia FinFET vi è poi quello di poter essere utilizzata sfruttando l?infrastruttura tecnologica e produttiva esistente.
A settembre AMD ha mostrato il primo dispositivo FinFET funzionante con una lunghezza di gate pari a 10 nanometri (nm), ovvero 10 miliardesimi di metro, meno di un quinto della dimensione dei transistor più avanzati in produzione oggi.
?Crediamo che gli obiettivi di prestazione dei nostri transistor richiederanno gate di dimensioni inferiori ai 15 nm entro la fine di questo decennio, fornendo alla ricerca e sviluppo opportunità entusiasmanti? ha affermato Sander. ?Le strutture dei transistor multi-gate quali la nostra versione del FinFET, sono la chiave per raggiungere prestazioni di prossima generazione, continuando allo stesso tempo ad utilizzare molti dei metodi di produzione già esistenti ?.
Anche nel futuro di Intel, come si è visto in questa news , ci sono transistor non planari (che per questa loro caratteristica vengono talvolta chiamati 3D): la tecnologia questa volta si chiama “Tri-gate” e, come suggerisce il nome, si avvale di una struttura a tre gate.
Ecco le altre novità tecnologiche presentate da AMD.
AMD si è detta impegnata nella costruzione di transistor con gate ottenuti dal metallo, invece che dal polisilicio (lo standard attuale). In particolare, AMD sostiene che la tecnologia del gate basato sul nichel promette di aumentare in modo notevole le prestazioni dei transistor migliorando il flusso di corrente elettrica nel transistor stesso.
“Quando implementati in modo appropriato – spiega AMD – i gate di metallo eliminano l?attuale pratica di mettere impurità nel canale sotto il gate del transistor per raggiungere commutazione ottimale. La rimozione di queste impurità permetterà un flusso di corrente elettrica migliore, che a sua volta aumenta le prestazione del transistor. Si prevede, inoltre, che questi gate a base di nichel offriranno la possibilità di abbassare i costi di produzione rispetto ad altre tecnologie di gate di metallo studiate oggi nel settore”.
AMD ha mostrato anche i risultati delle ricerche condotte con la collaborazione della Stanford University su di una nuova struttura di cella di memoria che potrebbe essere utilizzata per la prossima generazione di memorie flash da 65 nm.
Questa nuova struttura utilizza minuscoli ?fili? (nanowire) di polisilicio delle dimensioni di 5 nm di larghezza per immagazzinare la carica elettrica. Gli scienziati di AMD hanno spiegato che a queste piccole dimensioni le celle della memoria dimostrano un vero comportamento meccanico quantico, fornendo velocità di cancellazione di diversi ordini di grandezza superiori rispetto alle celle di memoria flash convenzionali, mostrando allo stesso tempo un’ottima capacità nel conservare i dati.
Questa tecnologia, secondo AMD, potrebbe permettere di incorporare in un singolo chip flash maggiori quantità di memoria, aumentando allo stesso tempo la velocità e riducendo l?energia necessaria alla cella per leggere e scrivere i dati.
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13 dic 2002