Samsung fa volare le DDR SRAM

Seoul (Corea del Sud) – Samsung ha annunciato lo sviluppo di quella che l’azienda definisce la più veloce memoria SRAM al mondo. Basata sulla tecnologia Double Data Rate 3 (DDR3) SRAM, il nuovo chip di memoria è stato fabbricato con un processo a 90 nanometri ed è in grado, secondo il colosso coreano, di operare a velocità di 1,5 Gbit/s e ad un voltaggio di 1,2 volt.

Grazie alla nuova tecnologia “cell”, il chip SRAM di Samsung misura solo 0,79 micron quadrati e permetterà, nel prossimo futuro, di costruire moduli di memoria molto più piccoli degli attuali.

L’azienda ha già mostrato prototipi dei propri chip di memoria da 32 Mbit e, per la seconda metà dell’anno, si è detta pronta ad iniziare la produzione in volumi di versioni a 72 Mbit.

Con le sue super-SRAM Samsung conta di rivolgersi al mercato dei server e delle workstation hi-end.

A differenza delle memorie DRAM, che hanno un tempo di accesso intorno ai 60 nanosecondi, le memorie SRAM forniscono tempi tipicamente inferiori ai 10 nanosecondi. Purtroppo quest’ultimo tipo di memorie ha un ciclo di vita inferiore alle DRAM e prezzi assai più elevati: è per questo che generalmente vengono impiegate solo come memorie cache.