Si prepara l'avvento dei 22nm

IBM e Globalfoundries sviluppano insieme nuove tecnologie. Che promettono dispositivi pių efficienti e pių potenti. A cominciare da quelli mobili

Roma - Durante un simposio tenutosi negli scorsi giorni a Kyoto, IBM e Globalfoundries hanno illustrato una nuova tecnologia che promette di superare uno dei principali ostacoli nel produrre chip con transistor High-K Metal Gate (HKMG) sempre più piccoli ed efficienti. Inizialmente questa futura generazione di chip porterà vantaggi soprattutto nei dispositivi mobili, che secondo Globalfoundries potranno incrementare la loro potenza di calcolo e fornire "una durata delle batterie decisamente superiore".

"La nuova tecnica - hanno spiegato - consente lo scaling dello spessore di ossido equivalente (Equivalent Oxide Thickness, EOT) dei transistor HKMG ben oltre il livello richiesto per il nodo a 22 nanometri, mantenendo al contempo una combinazione di bassa dispersione, bassa tensione di soglia e superiore mobilità dei portatori di carica".

"HKMG è un componente critico della roadmap tecnologica di GlobalFoundries", ha aggiunto Gregg Bartlett, vicepresidente della nota joint venture tra AMD e Advanced Technology Investment Company. "Questo nuovo progresso potrebbe consentire ai nostri clienti di migliorare le prestazioni e l'autonomia dei loro prodotti, particolarmente nel mercato dei notebook ultraportatili e degli smartphone".
Per dimostrare l'applicabilità della propria tecnica, le due partner l'hanno utilizzata per fabbricare un dispositivo n-MOSFET con un EOT di 0,55 nm e un p-MOSFET con un EOT di 0,7 nm.

Sui chip a 22 nm sta lavorando anche Intel, la quale prevede di affiancare questo nuovo processo di produzione alla tecnologia litografica EUV (Extreme Ultra-Violet), che utilizza raggi x e specchi multistrato al posto di laser e lenti.

IBM e Globalfoundries, insieme a Samsung Electronics, STMicroelectronics e Chartered Semiconductor, stanno altresì realizzando design, tecnologie e macchinari per la produzione di chip con circuiti da 28 nanometri: tali chip, attesi sul mercato nella seconda parte del 2010, promettono di consumare fino al 40 per cento in meno di energia e incrementare le performance del 20 per cento.