Nel 2010 i 28nm di Toshiba e TSMC

I due produttori asiatici hanno annunciato l'intenzione di avviare la produzione di chip a 28 nm giÓ a partire dal prossimo anno. Una mossa contro la crisi e la concorrenza

Roma - Toshiba conta di avviare la produzione di chip a 28 nanometri già a partire dal 2010, saltando così lo step intermedio a 32nm preannunciato lo scorso anno. Analoga mossa anche da parte della taiwanese TSMC, la quale affiancherà tuttavia il nuovo processo produttivo a quello da 32 nm.

Secondo Reuters, la decisione di Toshiba si saltare direttamente ai 28 nm fa parte di una strategia con cui l'azienda sta tentando di rafforzare la propria posizione sul mercato, guadagnano competitività nei confronti di rivali come Intel e Texas Instrument.

Toshiba, che è il secondo produttore al mondo di memorie NAND flash dopo la coreana Samsung, si trova a fronteggiare una recessione economica che ha colpito duro anche il settore delle memorie, e che nell'ultimo periodo ha visto contrarsi sia la domanda che i prezzi.
Il produttore giapponese prevede di avvalersi dei circuiti a 28 nm nella fabbricazione di system-on-chip (SoC) per i dispositivi embedded, quali computer di bordo, smartphone e appliance di rete. Costruire SoC più "densi" significa poter integrare in un singolo chip un maggior numero di componenti e funzionalità, quali CPU, controller, DSP, memoria, interfacce di I/O, radio ecc. Come nei microprocessori per PC, poi, una riduzione della dimensione dei circuiti corrisponde generalmente in un incremento delle performance, una riduzione dei consumi e un abbattimento dei costi di produzione.

Toshiba sta mettendo a punto la tecnologia di processo a 28nm insieme alla connazionale NEC e ad un'alleanza di aziende guidate da IBM, alleanza con cui ha già espresso l'intenzione di estendere il proprio rapporto di collaborazione.

TSMC ha annunciato che inizierà la produzione di chip a 28 nm a partire dalla prima metà del prossimo anno. I suoi clienti, tra cui vi sono colossi come AMD e Nvidia, potranno scegliere due differenti tipi di gate per i transistor: quelli con ossinitrato di silicio e quelli High-K Metal. I primi, ha spiegato l'azienda, sono maggiormente adatti ai chip a basso consumo, come quelli dei dispositivi mobili, i secondi per i processori ad elevate performance, come CPU e GPU per PC.