Alfonso Maruccia

La memoria PCM batte un colpo

Intel e Numonyx mostrano un prototipo da 64 megabyte di memoria a variazione di fase funzionante. Evocando scenari di estinzione per le NAND Flash e un futuro roseo per chip di memoria e storage

Roma - Per superare i colli di bottiglia e i tanti problemi delle memorie NAND Flash occorrerà ancora del tempo, ma già oggi ci sono le premesse tecnologiche per la realizzazione di microchip di nuova concezione. Tali premesse le gettano assieme Intel e Numonyx (joint venture tra Intel ed ST Microelectronics), con la presentazione di un chip prototipo da 64 megabyte basato su memorie a variazione di fase (PCM), arrangiate a mò di "stack" per aumentare le dimensioni mantenendo nel contempo le stesse caratteristiche e prestazioni.

La ricerca nel campo delle PCM è impegnata da tempo nello sviluppo di un setup tale da permetterne l'integrazione in prodotti di massa, e il motivo è presto detto: le memorie a variazione di fase hanno la stessa capacità di ritenere le informazioni binarie dei chip NAND flash (usate negli SSD) ma offrono performance migliori, una scalabilità nettamente superiore e soprattutto la possibilità di registrare i dati attraverso il cambiamento di un singolo bit, piuttosto che "a blocchi" come le elettroniche di controllo sono costrette a fare nei chip di memoria dei dischi a stato solido attualmente presenti sul mercato.

Al Fazio, direttore del memory technology development del chipmaker di Santa Clara, descrive le PCM come propedeutiche alla concreta possibilità di "fondere alcuni degli attributi delle DRAM e alcuni attributi dello storage degli SSD in un'unica classe di memoria", una memoria che "si comporta effettivamente come una memoria" e che dà quindi all'hardware la possibilità di eseguire operazioni di lettura/scrittura con la bassa latenza tipica delle DRAM ed è non-volatile come i dischi a stato solido.
Il prototipo presentato da Intel e Numonyx ha messo in mostra una tecnologia definita "phase change memory and switch" (PCMS), dove sottili strati di celle di memoria e i rispettivi selettori di controllo (Ovonic Threshold Switch) sono stati posizionati l'uno sopra l'altro a formare uno stack verticale, con una configurazione reiterabile per più volte su una base CMOS grazie alla quale cui poter infine creare chip di memoria PCM ad alta densità e prestazioni velocistiche.

"Sono risultati estremamente promettenti - ha commentato il senior technology fellow di Numonyx Greg Atwood - risultati che dimostrano il potenziale per array scalabili e a maggiori densità oltre a impieghi tipo-NAND per prodotti PCM futuro". Prodotti importanti, continua Atwood, in virtù degli insormontabili limiti fisici e di affidabilità delle memorie Flash a fronte di una domanda del mercato che cresce come una curva costantemente rivolta all'insù.

Alfonso Maruccia
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