Alessandro Del Rosso

Samsung, moduli DDR3 da 32 GB

Il produttore coreano ha consegnato i primi campioni di moduli RDIMM DDR3 da 32 GB basati su chip con tecnologia a 40 nanometri. Destinati ai server, la loro produzione in volumi inizierà nel corso di aprile

Roma - Nelle prossime settimane Samsung Electronics è pronta ad avviare la produzione in volumi dei primi moduli di memoria DDR3 basati su chip da 4 gigabit. Tali moduli raggiungono la ragguardevole capacità di 32 GB e sono prodotti con una tecnologia di processo a 40 nanometri.

Samsung 40nm-class 4Gigabit DDR3Samsung afferma che i nuovi moduli RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) coniugano la più elevata densità di memorizzazione oggi sul mercato con livelli di consumo molto contenuti, dichiarati - a pari capacità - del 35% inferiori a quelli dei moduli con chip da 2 Gbit. Se si prendono invece come riferimento i consumi degli RDIMM basati sui chip da 1 Gbit (tecnologia a 60 nm), l'azienda sostiene che il risparmio energetico sale all'83%.

Costituiti da 36 chip DDR3 dual-die a 40 nm, gli RDIMM di nuova generazione corteggiano soprattutto i server ad elevata efficienza, che forniscono un elevato rapporto tra performance, consumi e ingombri. Samsung afferma che i suoi nuovi moduli possono consentire ai produttori di stipare fino a 192 GB di RAM su un sistema a singolo processore.
Samsung ha avviato la produzione in volumi dei suoi chip di memoria da 4 Gbit lo scorso mese, e nel corso dell'anno conta di migrare l'intera sua produzione di memorie DDR DRAM a questa tecnologia di processo. A beneficiarne saranno anche i moduli SoDIMM per notebook, che presto raggiungeranno una densità di 8 GB e apriranno la strada all'arrivo di workstation mobili con 16 GB (due socket) o 32 GB (quattro socket) di memoria RAM DDR3.

Alessandro Del Rosso
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