Roberto Pulito

Le DDR4 secondo Hynix

Il chipmaker coreano annuncia memorie RAM DDR4 che operano a 2400 Mhz con soli 1,2 volt di tensione. La produzione in serie di questi moduli partirÓ dall'anno prossimo

Roma - All'inizio dell'anno Samsung ha annunciato l'arrivo dei primi moduli di memoria DDR4 a 2133 MHz. Il produttore coreano di semiconduttori Hynix ha appena battuto il connazionale con chip DDR4 da 2 Gigabit e DDR4 ECC-SODIMM da 2 Gigabyte, che possono operare a 2400 MHz.

La memoria riesce nell'impresa di consumare meno energia e, contemporaneamente, trasferire dati molto più velocemente delle DDR3 attuali. Il dispositivo opera a 2400MHz, risultando l'80 per cento più veloce di una DDR3 a 1333MHz, può raggiungere un bandwidth fino a 19,2 GB/s con Bus a 64 bit, e si accontenta di una tensione pari a 1,2Volt.

Ji-Bum Kim, direttore marketing dell'azienda coreana, sottolinea che questo tipo di soluzione efficiente ed eco-compatibile, può dare il suo contributo anche in ambito tablet e micro-server. Il nuovo prodotto, realizzato sempre con tecnologia a 30 nanometri, è conforme allo standard DDR4 DRAM stabilito dallo JEDEC.
La Hynix, che prevede di iniziare la produzione in serie nella seconda metà del 2012, riporta anche le previsioni di mercato riferite a tutto il settore DRAM. Secondo gli analisti, la domanda di DDR3 raggiungerà il suo picco nel prossimo anno, arrivando ad un 71 per cento. Poi si assesterà sul 49 per cento entro il 2014. La quota di mercato delle DDR4 aumenterà invece dal 5 per cento del 2013 al 50 per cento del 2015.

Roberto Pulito
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