Alfonso Maruccia

Memristori ora al gusto di silicio

Una scoperta fatta per caso apre le porte alla produzione di memristori molto pių economici di quelli realizzati da HP. E il tutto č facilmente adattabile ai tradizionali processi produttivi dei componenti basati sul silicio

Roma - L'ennesima scoperta fatta "per caso" potrebbe rappresentare un'autentica rivoluzione per i destini tecnologici e commerciali dei memristori - e questo prima ancora che siffatta, innovativa tecnologia approdi sul mercato.

Autori della nuova scoperta, i ricercatori dello University College London, impegnati a sperimentare con l'ossido di silicio per la realizzazione di apparati LED: quelli che a una prima occhiata sembravano circuiti elettronicamente instabili, a un'analisi più approfondita si sono rivelati essere filamenti di ossido di silicio con la capacità di passare tra vari stati conduttivi e non-conduttivi in maniera prevedibile.

Tra le applicazioni della scoperta dall'università londinese vi è appunto la possibilità di realizzare memristori, vale a dire chip di memoria (resistori con effetto memoria) studiati da HP e in dirittura d'arrivo sul mercato (sempre a opera di HP in partnership con Hynix) con il nome commerciale di ReRAM.
I chip ReRAM sono presumibilmente destinati a spazzare via la limitata tecnologia delle NAND Flash come sistema di storage a stato solido, e la possibilità (paventata dalla UCL) di produrre fisicamente tali chip adattando i tradizionali processi produttivi del silicio non fa che rafforzare la validità di questa previsione.

Alfonso Maruccia
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2 Commenti alla Notizia Memristori ora al gusto di silicio
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  • Son stufo di sentire questi annunci, che li facciano anche di sterco di vacca, ma che esca qualcosa, il Memristor è un componente fondamentale che alla fine è servito ad HP solo per fare il lurcratore di brevetti, su un componente che per quanto complesso da riprodurre è previsto ed è come brevettare la RESISTENZA, inoltre va visto il salto tecnologico che può avere anche nella elettronica normale non visto come "Memoria", e HP vede solo il lato informatico della cosa.

    Una resistenza ed un memristor possono essere accopiati come un condensatore ed un induttanza, apre strade enormi e può portare a nuove formule mai valutate prima, ma ora esiste, basta solo che qualcuno si sbrighi a produrlo in massa....e caz**!

    Dovremmo avere holo DVD da 1 pollice e 100TB di dati, ma nulla all'orrizzonte, per proteggere economie vecchie e morte.
    Be&O
    1121
  • Hai ragione! Ma ti dico di più: l'effetto di commutazione resistiva è noto dal 1962. Sta accadendo la stessa vicenda delle memorie a cambiamento di fase che dal 1970 sono (!!!) le memorie del futuro, è vero, oggi 2 produttori hanno in catalogo queste memorie ma non risulta affatto che abbiano fatto il botto, anzi per i pochi lotti piazzati andrebbe fatto un monumento all'ufficio Marketing. Discorso analogo per le varie tipologie di memorie magnetiche che devono soppiantare le memorie attuali dagli anni '80.....
    Poi guardacaso la naturale evoluzione delle Flash (ma delle DRAM) ritarda sempre di 4-5 anni l'ingresso sul mercato delle "nuove" memorie.
    Una piccola nota: per ReRam s'intende una tipologia di memoria dove il valore logico è associato ad uno stato resitivo, quindi non coincide necessariamente con il memstore. Si potrebbe aprire un lungo discorso relativo al fatto che il memstore sia semplicemente una ReRam capace di commutazione bipolare multilivello le cui caratteristiche potevano, con un po' di fantasia, essere identificate nel componente ideale della teoria dei circuiti chiamato appunto memstore (un applauso all'ufficio Marketing di HP). E che dire delle innumerevoli tipologie di ReRam che dagli anni '90 devono soppiantare ogni tipo di memoria? Ad esempio quanto si confidava nelle memorie basate su ossidi binari che erano bellissime perché potevano manifestare commutazione unipolare, ma guarda un po' il memstore (tra l'altro nato da queste ricerche in quanto basato su ossido di titanio) piace perché commuta bipolarmente!
    Credetemi di annunci fantasmagorici ce ne sono a centinaia, anche perché la regola generale vuole che praticamente tutti gli ossidi manifestano fenomeni di commutazione resistiva, tutt'altra cosa è ottenere un oggetto realizzabile con un processo economico (ovvero "riciclando" le tecnologie attuali) che garantisca una buona affidabilità. Qui sta il problema: banalizzando all'incredibile molte famiglie di ReRam funzionano "bucando" (letteralmente) uno strato di ossido, quindi è difficile prevedere come questo danno si evolga nella vita dell'oggetto.
    In generale penso che nei prossimi anni nelle vostre chiavette USB troverete sempre una FLASH o una sua diretta evoluzione.
    Floating gate 4ever!!!
    non+autenticato