Dalla divisione di ricerca&sviluppo Samsung ( Samsung Advanced Institute of Technology ) arriva una nuova ricerca in campo di applicazioni pratiche del grafene, un nuovo design di transistor potenzialmente in grado di accelerare l’integrazione delle mirabolanti capacità del materiale da Nobel nei computer e dispositivi informatici.
Il grafene è il principale materiale candidato a prendere il posto del silicio per la tecnologia digitale, dicono i bene informati , ma il grafene ha il grave handicap di non poter agire da “switch” interrompendo o favorendo il flusso della corrente elettrica necessario a rappresentare gli “zero” e gli “uno” del formato binario.
La ricerca ha sin qui realizzato transistor di grafene, ma al prezzo di ridurre drasticamente la mobilità elettronica del materiale, vale a dire il suo principale vantaggio rispetto al silicio. Il grafene ha infatti una mobilità elettronica 200 volte superiore di quella del silicio, fatto che consentirebbe di raggiungere prestazioni e frequenze di funzionamento (centinaia di GHz, o anche THz) inimmaginabili per gli attuali processori al silicio realizzati per esempio da Intel e AMD.
La ricerca di Samsung spiega che per fornire al grafene proprietà da switch binario, mantenendo inalterate la sua superiore mobilità elettronica, occorre passare a un design di transistor innovativo: il “barristore” del colosso sudcoreano è un ibrido silicio-grafene che serve appunto a preservare le proprietà fisiche del grafene anche nel caso in cui il materiale venisse usato in funzionalità di transistor. La “magia” viene compiuta proprio grazie all’accoppiata tra il vecchio silicio e il nuovo carbonio: i dettagli sulla scoperta sono stati pubblicati sull’ultimo numero di Science .
Alfonso Maruccia
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22 mag 2012