Provini a 65 nanometri per Intel

Intel ha svelato i primi chip realizzati con la sua nuova tecnologia di produzione a 65 nanometri, la stessa che il chipmaker utilizzerà fra meno di due anni per la sua prossima generazione di processori. La Legge di Moore tiene ancora

Santa Clara (USA) - Mentre ancora il mondo dei PC attende l'arrivo dei primi processori basati sulla tecnologia di fabbricazione a 90 nanometri (nm), Intel ha annunciato di aver prodotto chip con tecnologia a 65 nm.

Il colosso californiano sostiene che il suo nuovo processo di produzione, sperimentato nella realizzazione di chip di memoria SRAM (Static Random Access Memory), verrà messo in produzione a partire dal 2005, anno in cui faranno capolino sul mercato i suoi primi processori dual-core.

Oggi la maggior parte dei processori per PC vengono fabbricati con un processo a 130 nm che, a partire dal prossimo anno, lascerà progressivamente il passo a quello a 90 nm.
Intel ha spiegato che la nuova tecnologia a 65 nm (un nanometro corrisponde a un miliardesimo di metro) combina transistor dalle prestazioni più elevate e a basso consumo di energia con una tecnologia strained silicon di seconda generazione, interconnessioni in rame ad alta velocità e un materiale dielettrico low-k (a bassa costante k). Realizzando chip con il processo a 65 nm, Intel afferma che sarà in grado di raddoppiare il numero di transistor installabili su un unico chip.

"Grazie a questo risultato, la tecnologia a 65 nm di Intel è destinata a confermare il nostro record, iniziato 15 anni fa, di velocizzare la produzione con un processo di nuova generazione ogni due anni. In realtà sono trascorsi solo 20 mesi dall'annuncio della realizzazione di SRAM pienamente funzionanti con il processo a 90 nm, che è ora nella rampa produttiva", ha spiegato Sunlin Chou, senior vice president e general manager del Technology and Manufacturing Group di Intel. "Con il processo a 65 nm riusciremo a realizzare prodotti più evoluti a costi inferiori e, nel contempo, ci consentirà di continuare a conservare la validità della Legge di Moore".

I transistor prodotti con la tecnologia a 65 nm hanno una lunghezza del gate, il dispositivo di controllo costituito da un elettrodo, di 35 nm contro i 50 nm degli attuali chip a 130 nm: questo, secondo Intel, consente di incrementare la frequenza di clock di un fattore compreso fra il 40% e il 50%.

Intel ha utilizzato il processo a 65 nm per realizzare chip SRAM da 4 Mb pienamente funzionanti con una dimensione delle celle pari a 0,57 micron quadrati. Le celle SRAM di piccole dimensioni favoriscono l'integrazione di cache più grandi nei processori, con un conseguente aumento delle prestazioni. Ogni cella di memoria SRAM contiene sei transistor: 10 milioni di questi transistor possono essere inseriti in un'area da 1 millimetro quadrato, che corrisponde all'incirca alla dimensione della punta di una penna a sfera.

I dispositivi semiconduttori a 65 nm sono stati prodotti presso la fabbrica di Hillsboro, in Oregon, capace di sfornare wafer da 300 mm: questo impianto di produzione, il più recente di Intel, contiene una clean room di 16.350 metri quadrati, pari a circa tre volte e mezzo la dimensione di un campo da football americano.
20 Commenti alla Notizia Provini a 65 nanometri per Intel
Ordina
  • Se INTEL può gabbare i suoi clienti, sicuramente lo farà:D
  • Diffami?
    non+autenticato
  • Prima di scatenare qualche tipo di polemica per la sopra postata battuta, vorrei esprimere un mio personalissimo punto di vista dal quale la suddetta è scaturita.

    E' risaputo, e non credo sia una leggenda metropolitana, che INTEL nei suoi laboratori di ricerca sta viaggiando a ritmi sfrenati nel tentativo di sondare, studiare e produrre nuove tecnologie per realizzare chip e microprocessori. L'offerta commerciale di INTEL però non da subito seguito alle nuove tecnologie, che invece INTEL si guarda bene dal produrre immediatamente.
    Causa l'assenza di validi competitor in grado di spiazzarla nella produzione di chip, INTEL decide per il meglio (il suo meglio) così se nella realtà sarebbe possibile avere già oggi microprocessori superveloci a bassissimo costo, questi vengono lasciati nel cassetto per usi futuri, cioé quando il mercato sarà pronto ad accoglierli.
    La conseguenza per i clienti è che a discapito delle attuali conquiste tecnologiche (perlomeno quelle di INTEL) deve pagare a caro prezzo un prodotto quando già ce n'è uno migliore, che costa (probabilemente) meno, ma che non è in vendita. La legge di Moore, non contemplando ragioni di carattere commerciale, in questa ipotesi perde completamente di significato.

  • - Scritto da: AdessoBasta
    > Prima di scatenare qualche tipo di polemica
    > per la sopra postata battuta, vorrei
    > esprimere un mio personalissimo punto di
    > vista dal quale la suddetta è scaturita.
    >
    > E' risaputo, e non credo sia una leggenda
    > metropolitana, che INTEL nei suoi laboratori
    > di ricerca sta viaggiando a ritmi sfrenati
    > nel tentativo di sondare, studiare e
    > produrre nuove tecnologie per realizzare
    > chip e microprocessori. L'offerta
    > commerciale di INTEL però non da subito
    > seguito alle nuove tecnologie, che invece
    > INTEL si guarda bene dal produrre
    > immediatamente.
    > Causa l'assenza di validi competitor in
    > grado di spiazzarla nella produzione di
    > chip, INTEL decide per il meglio (il suo
    > meglio) così se nella realtà sarebbe
    > possibile avere già oggi microprocessori
    > superveloci a bassissimo costo, questi
    > vengono lasciati nel cassetto per usi
    > futuri, cioé quando il mercato sarà pronto
    > ad accoglierli.
    > La conseguenza per i clienti è che a
    > discapito delle attuali conquiste
    > tecnologiche (perlomeno quelle di INTEL)
    > deve pagare a caro prezzo un prodotto quando
    > già ce n'è uno migliore, che costa
    > (probabilemente) meno, ma che non è in
    > vendita. La legge di Moore, non contemplando
    > ragioni di carattere commerciale, in questa
    > ipotesi perde completamente di significato.

    caso unico al mondo?
    non credo, pure Sony, Nike e mille altri superproduttori hanno gia' nel cassetto la collezione primavera/estate 2018
    se cosi' non fosse i tempi per testare i prodotti (i tempi che ci fanno credere) sarebbero davvero esigui.
    non+autenticato

  • C'e' qualcosa che mi sfugge nell'articolo...

    Dai miei vecchi ricordi di u-elettronica quando si parla di una technologia a X nm di parla della lunghezza di canale e tale lunghezza e' pari alla dimensione del gate...

    qualcuno potrebbe chiarirmi?

    il Conte

  • - Scritto da: CountZero
    >
    > C'e' qualcosa che mi sfugge nell'articolo...
    >
    > Dai miei vecchi ricordi di u-elettronica
    > quando si parla di una technologia a X nm di
    > parla della lunghezza di canale e tale
    > lunghezza e' pari alla dimensione del
    > gate...

    e' quello ceh sapevo anch'io!
    Sarebbe bello avere notizie dalla redazione, ad esempio il link alla fonte della notizia cosi' da fugare ogni dubbio su eventuali errori

    boh, speriamo che la redazione ci illumini..
    alessandro
    non+autenticato
  • Ciao, puoi trovare il comunicato stampa di Intel nella sezione Press Releases del sito Intel.com.

    La Redazione

    - Scritto da: CountZero
    >
    > C'e' qualcosa che mi sfugge nell'articolo...
    >
    > Dai miei vecchi ricordi di u-elettronica
    > quando si parla di una technologia a X nm di
    > parla della lunghezza di canale e tale
    > lunghezza e' pari alla dimensione del
    > gate...
    >
    > qualcuno potrebbe chiarirmi?
    >
    > il Conte

  • - Scritto da: La redazione
    > Ciao, puoi trovare il comunicato stampa di
    > Intel nella sezione Press Releases del sito
    > Intel.com.
    >
    > La Redazione
    >

    Grazie!

    E penso anche di aver capito dove stava l'inghippo, mia confusione tra Width e Length....

    ...ora dovro riesumare i miei ricordi per ricordarmi i vantaggi
    di un miglior rapporto W/L...
    maggior corrente disponibile?!


    il Conte
  • Si, esatto.

    Ing. ZioBill.

    - Scritto da: CountZero
    >
    > - Scritto da: La redazione
    > > Ciao, puoi trovare il comunicato stampa di
    > > Intel nella sezione Press Releases del
    > sito
    > > Intel.com.
    > >
    > > La Redazione
    > >
    >
    > Grazie!
    >
    > E penso anche di aver capito dove stava
    > l'inghippo, mia confusione tra Width e
    > Length....
    >
    > ...ora dovro riesumare i miei ricordi per
    > ricordarmi i vantaggi
    >   di un miglior rapporto W/L...
    > maggior corrente disponibile?!
    >
    >
    > il Conte
    non+autenticato
  • Cerco di ricordare quello che avevo studiato al corso di microelettronica: il rapporto W/L non dipende dalla tecnologia utilizzata, e' un rapporto, niente piu', non e' legato alle dimensioni minime. Certo che se W e L sono maggiori (in valore assoluto) allora le capacita' di gate sono maggiori e questo e' uno svantaggio. Ma nessuno vieta di "giocare" sul rapporto in modo da ottenere la corrente voluta, qualsiasi sia la tecnologia utilizzata.

    Con la contrazione delle geometrie si puo' anche pensare di mantenere il rapporto W/L costante; cio' che in realta' migliora e' il fattore di conducibilita' intrinseco dei transistor MOS, quello che solitamente si indica con "beta", che aumenta.
    Essendo la corrente del dispositivo proporzionale a "beta" anche la corrente trae beneficio dalla contrazione, aumentando.
    Questo permette, ipotizzando una contrazione a campo costante (che implica che le tensioni caratteristiche del MOS scalino dello stesso fattore con cui scalano L e W) di ottenere un dispositivo che puo' funzionare a frequenze maggiori, dissipando meno potenza dinamica.
    Uno svantaggio di questo tipo di approccio riguarda la densita' di corrente che aumenta e rende meno affidabile il dispositivo (effetti di elettromigrazione, vento elettronico, rischio di fusione dei conduttori metallici ecc ecc)

    Questo per dire che con la contrazione delle geometri non si migliora il rapporto W/L o almeno non e' il fine ultimo che giustifica la ricerca di una nuova tecnologia.

    A me sinceramente rimanane da capire come sia possibile ottenre un dispositivo che abbia una dimensione caratteristica minore della dimensione minima gestibile dalla tecnologia utilizzata:

    mi sfugge come sia possibile realizzare un transistor MOS con lunghezza di gate di 35 nm utilizzando una tecnologia a 65nm. Provate a tracciare una linea larga 1 millimetro con un pennarello con la punta larga 2. A meno che quando parlano di tecnologia a "65nm" intendano qualcosa di diverso dalla risoluzione gestibile dalla tecnologia. boh

    alessandro
    non+autenticato
  • La tua osservazione e' assolutamente corretta: non si puo' pensare si usare una lunghezza minore della piu' piccola usabile all'interno di una tecnologia. E se parlano di 65nm, allora la lunghezza di gate non puo' che essere di 65nm. Probabilmente la press release di Intel e' sbagliata (succede: la scrivono i commerciali che di solito non sanno un razzo di queste cose), oppure c'e' un difetto di traduzione.

    ZioBill

    - Scritto da: Anonimo
    > Cerco di ricordare quello che avevo studiato
    > al corso di microelettronica: il rapporto
    > W/L non dipende dalla tecnologia utilizzata,
    > e' un rapporto, niente piu', non e' legato
    > alle dimensioni minime. Certo che se W e L
    > sono maggiori (in valore assoluto) allora le
    > capacita' di gate sono maggiori e questo e'
    > uno svantaggio. Ma nessuno vieta di
    > "giocare" sul rapporto in modo da ottenere
    > la corrente voluta, qualsiasi sia la
    > tecnologia utilizzata.
    >
    > Con la contrazione delle geometrie si puo'
    > anche pensare di mantenere il rapporto W/L
    > costante; cio' che in realta' migliora e' il
    > fattore di conducibilita' intrinseco dei
    > transistor MOS, quello che solitamente si
    > indica con "beta", che aumenta.
    > Essendo la corrente del dispositivo
    > proporzionale a "beta" anche la corrente
    > trae beneficio dalla contrazione,
    > aumentando.
    > Questo permette, ipotizzando una contrazione
    > a campo costante (che implica che le
    > tensioni caratteristiche del MOS scalino
    > dello stesso fattore con cui scalano L e W)
    > di ottenere un dispositivo che puo'
    > funzionare a frequenze maggiori, dissipando
    > meno potenza dinamica.
    > Uno svantaggio di questo tipo di approccio
    > riguarda la densita' di corrente che aumenta
    > e rende meno affidabile il dispositivo
    > (effetti di elettromigrazione, vento
    > elettronico, rischio di fusione dei
    > conduttori metallici ecc ecc)
    >
    > Questo per dire che con la contrazione delle
    > geometri non si migliora il rapporto W/L o
    > almeno non e' il fine ultimo che giustifica
    > la ricerca di una nuova tecnologia.
    >
    > A me sinceramente rimanane da capire come
    > sia possibile ottenre un dispositivo che
    > abbia una dimensione caratteristica minore
    > della dimensione minima gestibile dalla
    > tecnologia utilizzata:
    >
    > mi sfugge come sia possibile realizzare un
    > transistor MOS con lunghezza di gate di 35
    > nm utilizzando una tecnologia a 65nm.
    > Provate a tracciare una linea larga 1
    > millimetro con un pennarello con la punta
    > larga 2. A meno che quando parlano di
    > tecnologia a "65nm" intendano qualcosa di
    > diverso dalla risoluzione gestibile dalla
    > tecnologia. boh
    >
    > alessandro
    non+autenticato
  • Consiglio questi due link

    ftp://download.intel.com/research/silicon/65nm%20S...

    http://www.engr.sjsu.edu/jfreeman/BasicMOS.html

    L'immagine a pagina 5 del primo documento, e il secondo documento, chiariscono molte cose, in particolare il fatto la lunghezza di canale (ossia la distanza fra drain e source, che a pagina 5 e` la larghezza delle sezioni piu` chiare piu` "un po'") sia minore della larghezza (ossia la larghezza dei "solchi").
    non+autenticato

  • - Scritto da: Anonimo

    > di canale (ossia la distanza fra drain e
    > source, che a pagina 5 e` la larghezza delle
    > sezioni piu` chiare piu` "un po'") sia
    > minore della larghezza (ossia la larghezza
    > dei "solchi").

    ...ecco i ricordi che riaffiorano... in effetti mi ricordo che si giocasse sull a diffusione dei dopaggi (ma si dira cosi in italiano?) per ottenere un canale piu corto...

    CountZero
  • si dice drogaggi

    giovanni
    non+autenticato

  • - Scritto da: CountZero
    >
    >
    > ...ecco i ricordi che riaffiorano... in
    > effetti mi ricordo che si giocasse sull a
    > diffusione dei dopaggi (ma si dira cosi in
    > italiano?) per ottenere un canale piu
    > corto...
    >
    > CountZero

    ok, forse ti riferisci al fatto che nel drogaggio si ha anche la diffusione laterale?
    Ma da quel che ricordo il Gate viene definito da una singola maschera con un processo detto autoallineante che garantisce la corretta realizzazione del gate, source e drain (evita che la sovrapposizione tra gate e drain e source sia eccessiva -> corrente di perdita elevata, ma garantisce che allo stesso tempo si abbia la connessione elettrica tra source-canale-drain). Quindi mi pare comunque impossibile realizzare il gate (sia in lunghezza che in larghezza) con risoluzioni minori di quelle consentite dalla tecnologia impiegata, se non altro perche' e' definito da una maschera.

    boh, comunque mi leggero' con piu' calma i doc ai link che sono stati segnalati

    alessandro
    non+autenticato
  • quoto dal sito "
                    La cosiddetta ?legge di Moore? non è una legge. Cioè non è un principio scientifico che sia stato enunciato come tale ? o che abbia conferma nell?osservazione dei fenomeni."



    e allora? hanno scoperto l'acqua calda?!

    il mondo è pieno di leggi e regole euristiche sulle quali fino ad adesso ci basiamo, considerandole valide fino a quando non viene considerato il contrario.


    tanto più che la "legge di moore" non ha neanche compito di costruire un modello in base alla quale fare previsioni: non è che se non viene rispettata, qualcuno muore o perde milioni di dollari.


    avvelenato che pensa la legge di moore smetterà di valere quando gli investimenti sulla ricerca nel campo della potenza computativa non avranno più le grandi promesse di ritorno economico di oggigiorno
  • Mi sembra che l'articolo si appigli a questioni di semantica, e metta in ballo cose che non c'entrano nulla (come la potenza percepita e/o richiesta dall'utente).
    non+autenticato
  • Vero.
    Si lamenta che 12 mesi sono diventati 18.
    Resta comunque una progressione geometrica e non lineare.
    Nell'articolo citato si dice che non raddoppiano i Mhz, ma la velocita' che non e' facilmente misurabile, concludendo che non serve agli utenti medi.

    E allora cosa vuol dirmi?
    Che la legge di Moore e' falsa o che secondo lui e' inutile?


    non+autenticato

  • - Scritto da: Anonimo
    > Vero.
    > Si lamenta che 12 mesi sono diventati 18.
    > Resta comunque una progressione geometrica e
    > non lineare.
    > Nell'articolo citato si dice che non
    > raddoppiano i Mhz, ma la velocita' che non
    > e' facilmente misurabile, concludendo che
    > non serve agli utenti medi.

    Magari dico un'altra baggianata, ma all'inizio Moore non parlava soltanto del numero di transistor in un circuito?

    il Conte