Dopo Samsung e la sua tecnologia di chip 3D V-NAND , altri colossi del settore sono ora impegnati a promettere l’arrivo sul mercato delle memorie Flash in configurazione tridimensionale. I vantaggi principali li vedranno gli utenti, mentre i produttori risparmieranno sui costi industriali.
La prima novità nel mercato dei chip Flash 3D arriva da Intel e Micron , aziende da tempo legate da una partnership nel campo delle memorie, che hanno preannunciato l’arrivo di memorie a stato solido con una capacità tre volte superiore a quella degli altri die NAND attualmente in produzione.
Posizionando uno sull’altro 32 strati di celle Flash basate su transistor Floating Gate , spiega Intel, sarà presto possibile raggiungere una densità di dati di 256 Gigabit per singolo die in modalità MLC, e 384 Gb in modalità TLC. In concreto, Intel e Micron prospettano l’arrivo di SSD da 10 Terabyte in formato da 2,5″ e unità di storage ultracompatte (per ultrabook e mini-desktop) da 3,5 Terabyte.
Le memorie Flash 3D permetteranno di raggiungere capacità superiori garantendo al contempo maggiore durata e affidabilità alle unità di storage, mentre il costo di produzione dei chip scenderà. Per quanto riguarda i tempi, Intel prevede l’arrivo dei primi dispositivi consumer nei primi mesi del 2016.
Anche Toshiba si muove sul fronte della memoria a stato solido in tre dimensioni, tecnologia di memoria che la corporation giapponese chiama BiCS e che può contare su 48 diversi layer di celle di memoria “montati” in configurazione verticale. Con BiCS gli SSD saranno (molto) più capienti, affidabili ed economici da produrre, promette Toshiba, e anche in questo caso si parla di prodotti consumer in arrivo nel 2016.
Alfonso Maruccia
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30 mar 2015