Mantenendo quanto promesso all’inizio dell’anno, Samsung ha annunciato quello che definisce il primo modulo di memoria DDR3 con una capacità di 32 GB.
Rispetto ai moduli DDR3 standard, che operano con una tensione di alimentazione di 1,5 volt, quello da 32 GB di Samsung utilizza una tensione di 1,35 volt e incrementa il throughput del 20%.
Indirizzato ai server, il nuovo modulo è composto da 72 chip DDR3 da 4 Gbit prodotti da Samsung con un processo produttivo a 50 nanometri. Su ogni lato della memoria vi sono nove package quad-die da 16 Gbit ciascuno.
“Rispetto ai moduli di memoria da 8 GB usati negli attuali server, il nostro nuovo modulo ha una densità quattro volte superiore, livelli di energia significativamente inferiori e dimensioni normali”, ha affermato Jim Elliott, vice president del memory marketing di Samsung Semiconductor.
Samsung non ha ancora rivelato prezzo e data di lancio della sua RAM da 32 GB.
Secondo IDC, alla fine del 2009 il mercato globale delle memorie DDR3 rappresenterà il 29% dell’intero mercato delle DRAM. Nel 2011 questa quota sarà del 75%.
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22 giu 2009