Da Intel e Micron chip flash più densi

Boise (USA) – Dopo aver recentemente migliorato i chip di memoria NAND Flash single-level cell (SLC), Intel e Micron hanno creato una NAND flash multi-level cell (MLC) che raddoppia la densità di memorizzazione degli attuali chip.

Le due partner, che sviluppano congiuntamente le memorie flash in seno alla joint venture IM Flash Technologies , sostengono che il loro è il primo chip MLC ad essere basato su circuiti con dimensione inferiore ai 40 nanometri. La nuova memoria NAND flash è stata creata con un processo produttivo a 34 nm, e fornisce una densità di memorizzazione di 32 gbit: superiore, secondo le due alleate, a quella di qualsiasi altra memoria flash oggi sul mercato.

Intel afferma che questa nuova generazione di chip NAND Flash aprirà la strada all’arrivo di dischi a stato solido (SSD) con capacità superiore ai 256 GB, sia nel formato 2,5 pollici che in quello a 1,8 pollici. Questo incremento di capacità, secondo il chipmaker, determinerà anche un’ulteriore discesa dei prezzi dei dispositivi flash.

Oltre che negli SSD, le memorie NAND flash vengono utilizzare in una grande varietà di device consumer, inclusi telefoni cellulari, PDA e player MP3.

La produzione in volumi delle nuove memorie a 34 nm inizierà nella seconda parte dell’anno. Il comunicato ufficiale è qui .