Sunnyvale (USA) – In occasione dell’International Electron Devices Meeting un po’ tutti i più grossi chipmaker hanno rivelato i loro piani per i chip del prossimo futuro. Dopo Intel e IBM, AMD ha annunciato di aver costruito il transistor CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) più veloce al mondo.
Il transistor di AMD ha un gate (la porta che controlla il flusso della corrente elettrica all’interno di un transistor) di lunghezza pari a 15 nanometri (0.015 micron) ed è in grado di passare da uno stato all’altro (0 o 1) 3.000 miliardi di volte al secondo.
Questo transistor è circa 5 volte più piccolo di quelli attualmente utilizzati nei processori più recenti e, secondo AMD, la tecnologia con cui è stato costruito permetterà, per la fine del decennio, di produrre chip 10 volte più veloci di quelli attuali e integranti un numero di transistor 20 volte maggiore.
AMD ha dichiarato che utilizzerà questo processo di produzione a partire dal 2009, quando introdurrà il primo transistor a 0,03 micron: prima di allora il chipmaker passerà dagli attuali 0,18 micron a 0,13 micron per poi scalare a 0,10 micron, 0,07 micron e 0,05 micron.
In termini di miniaturizzazione, in precedenza lo scettro era andato a Intel, introducendo all’inizio dell’anno un transistor con un gate da 0,02 micron.
La gara a chi ce l’ha più piccolo non sembra però destinata a fermarsi qui…
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4 dic 2001