Celle di memoria più compatte e minore consumo energetico sono solo alcuni tra i pregi della nota Magnetic RAM (MRAM). La tecnologia non volatile che dovrebbe sostituire DRAM e Flash Memory in campo mobile resta ancora confinata in una nicchia perché non è semplice incrementarne capacità e frequenza senza far levitare i costi di produzione.
Hynix e Toshiba continuano a credere nel potenziale delle Magnetic Random Access Memory e hanno appena deciso di unire le forze per questo. Nel corso degli ultimi 10 anni diverse aziende si sono alleate proprio per dare una spinta alla ricerca e allo sviluppo della MRAM ma l’obiettivo di questa nuova joint-venture è anche quello di “minimizzare i rischi imprenditoriali ed accelerare il ritmo di commercializzazione”.
L’accordo ufficializzato prevede la produzione di memorie MRAM in un’impresa comune, inoltre Hynix e Toshiba hanno esteso la collaborazione ad uno scambio reciproco di tutte le licenze, i brevetti e gli accordi stipulati per la fornitura di prodotti.
Differentemente dalle comuni RAM, le memorie in questione non memorizzano le informazioni come una quantità di carica elettrica ma come un campo magnetico che riesce a mantenere le informazioni anche in assenza di corrente. La tecnologia non volatile combina quindi i vantaggi delle memorie flash e quelle dei dischi rigidi.
Roberto Pulito
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15 lug 2011