Intel e IBM polverizzano la legge di Moore

Santa Clara (USA) – Intel e IBM hanno ridato fuoco alle polveri per una guerra, quella per il microchip più innovativo, che potrebbe concludersi con l’abbattimento della celebre legge di Moore , quella secondo cui la potenza dei microprocessori raddoppia all’incirca ogni 18-24 mesi.

Dopo aver annunciato a dicembre la produzione sperimentale di un transistor da 30 nanometri (0,03 micron), Intel supera nuovamente sé stessa “mostrando” (si fa per dire…) quello che si riconferma essere uno dei transistor più piccoli mai prodotti al mondo e il più veloce in assoluto: 20 nanometri di gate (lo spazio aperto che all’interno del transistor regola il flusso della corrente elettrica), largo 70-80 atomi e sottile 3 atomi.

Questa nuova tecnologia, che verrà utilizzata nei chip verso il 2007, a detta di Intel consentirà di costruire processori circa 25 volte più veloci del Pentium 4 più potente oggi sul mercato.

Questa prossima generazione di microprocessori arriverà a contenere qualcosa come un miliardo di transistor e girerà a frequenze di clock di circa 20 GHz. Queste “monster” CPU giocheranno un ruolo chiave nella crescita delle tecnologie e delle applicazioni legate al riconoscimento vocale e alla traduzione linguistica in tempo reale.

“Stiamo utilizzando la tecnologia esistente. Stiamo usando materiali standard. Stiamo usando lo stesso tipo di struttura”, ha affermato Gerald Marcyk, direttore della ricerca di Intel nel campo dei componenti. “Possiamo estendere la vita dei nostri materiali attuali per altre tre generazioni”.

Nelle stesse ore dell’annuncio Intel, IBM ha reagito con forza togliendo i veli ad una nuova tecnologia che promette di velocizzare i chip senza neppure andare a ridurre la dimensione dei transistor.


Armonk (USA) – Dopo aver introdotto sul mercato dei chip tecnologie di successo come quella delle interconnessioni al rame e la silicon-on-insulator, Big Blue si prepara a fare un altro passo avanti con la “Strained Silicon”, una nuova tecnologia che promette di incrementare la velocità dei chip del 35%.

“La legge di Moore dice che noi continueremo ad incrementare le prestazioni”, ha affermato Jeff Welser, manager di IBM nel settore dei semiconduttori. “Generalmente questo avviene diminuendo le dimensioni dei transistor”.

La tecnologia Strained Silicon si basa invece su di un processo di “stiramento” della distanza fra gli atomi di silicio, una tecnica che consente di velocizzare il passaggio del flusso di elettroni all’interno dei transistor e incrementare così le prestazioni dei chip diminuendo, nell’egual tempo, il consumo di energia.

IBM prevede che questa tecnologia, che verrà impiegata dapprima nei processori PowerPC, potrà divenire disponibile come standard industriale per i PC verso il 2003.

“Questa è l’ultima di una serie di realizzazioni tecniche ultimate dagli ingegneri di IBM Microelectronics, fra cui l’avanzamento nel rame, silicon-on-insulator, silicon germanium e low-k dielectric”, ha dichiarato Merrill Lynch, di IBM.

IBM è altresì impegnata , insieme a Sony e Toshiba, nello sviluppo, entro 5 anni, di “Cell”, un microchip capace di macinare migliaia di miliardi di operazioni matematiche al secondo (nell’ordine dei teraflop) e di avvalersi di un processo produttivo al rame addirittura a 0,1 micron e della tecnologia silicon-on-insulator (SOI).