Intel e Micron svelano le flash più dense

In seno alla joint venture IM Flash Technologies ( IMFT ), Intel e Micron hanno completato lo sviluppo di quella che definiscono la più avanzata tecnologia al mondo per la produzione delle memorie NAND flash, le stesse utilizzate all’interno di smartphone, player multimediali portatili, memory card e dischi a stato solido.

La nuova tecnologia di IMFT utilizza circuiti a 25 nanometri ed è già stata utilizzata dalle due partner statunitensi per sviluppare una memoria NAND flash multi-level cell (MLC) da 8 GB composta da chip da 64 Gbit capaci di memorizzare due bit per singola cella. La produzione in volumi di tale dispositivo di memoria sarà avviata nel secondo trimestre del 2010.

“Questo dispositivo è sufficientemente piccolo da entrare nel foro di un CD, e nonostante questo fornisce una capacità di memorizzazione oltre 10 volte maggiore”, ha commentato Troy Winslow, dirigente di Intel.

Intel afferma che questa nuova generazione di chip NAND flash raddoppia la densità di memorizzazione delle odierne memorie flash MLC, e apre la strada all’arrivo di SSD con capacità superiore ai 512 GB, sia nel formato da 2,5 pollici che in quello da 1,8 pollici. Questo incremento di capacità, secondo il chipmaker, determinerà anche un’ulteriore discesa dei prezzi dei dispositivi flash.

Intel, in particolare, utilizzerà i nuovi chip flash da 25 nm nella sua terza generazione di SSD X25-M, le cui capacità dovrebbero andare da 160 a 600 GB.

Con la tecnologia da 25 nm, Intel e Micron si riappropriano di una leadership tecnologica che era stata loro strappata prima da SanDisk, con un processo a 32 nm, e poi da Samsung, con circuiti da 30 nm. Tra i partecipanti a questa corsa alla miniaturizzazione dei chip flash c’è anche Hynix, che a breve dovrebbe annunciare una tecnologia a 26 nm.

Alessandro Del Rosso