Washington (USA) – Proseguendo verso quella strada che porterà i processori a contenere miliardi di transistor e girare a frequenze di clock nell’ordine dei TeraHertz (migliaia di miliardi di hertz), Intel ha annunciato due nuove tecnologie che, a suo dire, permetteranno la fabbricazione di chip più veloci, efficienti ed in grado di consumare meno energia.
Queste nuove tecnologie fanno da complemento alla ricerca nel settore della miniaturizzazione dei transistor, quei piccoli interruttori a due stati (0 o 1) di cui Intel ha svelato, all’inizio dell’anno, prototipi a 0,02 micron (20 nanometri).
Il problema che si pone ai progettisti è che al diminuire delle dimensioni dei transistor aumenta in modo sostanziale la dispersione di corrente elettrica, un fattore che costringe i progettisti ad alimentare i chip con voltaggi sempre maggiori e, di conseguenza, ad innalzare i consumi.
Se il trend attuale dovesse continuare, ha detto il vice presidente di Intel Pat Gelsinger, entro il 2005 si fabbricheranno processori da 425 milioni di transistor ed entro il 2010 da 1,8 miliardi di transistor. La conclusione di Gelsinger è che fra pochi anni i processori “genereranno calore con intensità simile a quella di un reattore nucleare”.
Nonostante quello dei consumi sia uno dei problemi chiave nel futuro dei processori, Gelsinger ammette che in questo campo l’industria del settore potrebbe presto rimanere senza idee: “Persino utilizzando una tecnologia da 0,1 micron, un processore da 30 GHz e mezzo miliardo di transistor potrebbe dissipare qualcosa come 3.000 o 5.000 watt, comparabili per densità all’imboccatura di un razzo”.
“Guardando avanti”, ha affermato Gelsinger, “io non penso che sapremo come dissipare il calore generato da processori da 5.000 watt. Se questo trend continuerà, entro il 2010 potremo ritrovarci a produrre chip da 600 watt”. Secondo Gelsinger la chiave è “spremere” più potenza dagli attuali processori per ogni watt consumato.
Intel e IBM sono fra i due chipmaker più impegnati nella ricerca di soluzioni che possano risolvere i problemi a cui stanno andando in contro i microprocessori.
Il big di Santa Clara, durante l’International Electron Device Meeting, ha mostrato due tecnologie che, a suo dire, potranno contribuire a costruire chip sempre più veloci ma in grado di consumare quanto o addirittura meno di quelli attuali.
Una delle due soluzioni presentate da Intel, e chiamata “depleted substrate transistor”, è simile alla tecnologia silicon-on-insulator (SOI) di IBM: utilizzando questa tecnologia, un transistor viene costruito all’interno di uno strato sottilissimo di silicio posto su di uno strato di materiale isolante. L’idea è che utilizzando un materiale isolante – come ad esempio il vetro – si prevenga la dispersione di corrente (elettroni), di fatto aumentando la performance e riducendo il consumo.
L’altra soluzione svelata dal big di Santa Clara è l’utilizzo di un nuovo materiale candidato a rimpiazzare, all’interno dei transistor, il biossido di silicio: anche qui lo scopo è quello di ridurre le dispersioni ed utilizzare in modo molto più efficiente l’energia elettrica.
Queste novità verranno introdotte da Intel in tempi diversi e, verso al seconda metà del decennio, diverranno tecnologie standard nei processori costruiti dal chipmaker. Ma è ancora presto per capire quanto costerà un gingillo del genere e se sarà davvero alla portata delle tasche dei più. Solo in quel caso, infatti, ci si troverebbe dinanzi a quella “CPU revolution” di cui alcuni media parlano in queste ore.
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27 nov 2001