Oggi tra le priorità di tutti i produttori di CPU c’è la riduzione dei consumi, un fattore che, in tempo di crisi economica ed energetica, sembra essere diventato ben più importante della pura potenza di calcolo. In questo ambito della ricerca hi-tech, Intel afferma di aver compiuto un significativo passo verso la costruzione di processori estremamente più efficienti di quelli attuali.
La chiave per abbattere i consumi è rappresentato da un transistor di nuova generazione che utilizza un substrato di silicio drogato con composti semiconduttori noti come materiali III-V . Secondo quanto riportato sul blog Innovation@Intel , l’utilizzo di questa nuova miscela di materiali ha consentito ai ricercatori di BigI di realizzare i più veloci transistor di tipo P-channel ad oggi noti.
Lo scorso anno Intel annunciò un traguardo simile nella realizzazione di transistor N-channel: combinando i due tipi di transistor, l’azienda afferma che sarà possibile produrre circuiti CMOS che, rispetto a quelli attuali, potranno funzionare a una tensione quasi dimezzata e consumare il 10% dell’energia.
La tecnologia CMOS viene oggi utilizzata per la produzione di tutti i principali tipi di circuiti digitali come microprocessori, microcontroller e static RAM, e di molti circuiti analogici come sensori d’immagine e ricetrasmettitori radio.
I ricercatori di Intel non hanno ancora fornito stime sui tempi di commercializzazione dei nuovi transistor, ma è probabile che la “rivoluzione tecnologica” prospettata da Intel non arriverà tanto presto. Nel frattempo il big di Santa Clara continuerà ad affidarsi ai transistor con gate metallici high-k introdotti con la sua ultima generazione di processori.
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7 apr 2009