JEDEC , organismo internazionale che si occupa di creare standard comuni in diversi campi dell’elettronica, dice finalmente la sua sull’argomento DDR4 , rilasciando le prime specifiche ufficiali da rispettare. Per la pubblicazione definitiva contenente tutti i requisiti dello standard Double Data Rate 4 bisognerà comunque attendere i primi mesi del 2012.
Per consumare meno energia e, contemporaneamente, trasferire dati molto più velocemente delle DDR3 attuali, le nuove memorie dovranno ovviamente rispettare determinati parametri. Il voltaggio scenderà ad esempio a 1,2 Volt, inferiore agli 1,35 V-1,5 V dei moduli DDR3.
I moduli DIMM DDR4, già intravisti nei sample Samsung e Hynix , saranno sviluppati con il nuovo processo produttivo a 30 nanometri, e dovranno proporre una velocità di trasferimento per pin che partirà da 1.6 GT/s per arrivare ad un massimo di 3.2 GT/s. Per quanto riguarda i moltiplicatori si parla ora di tre possibilità, x4, x8 e x16. Il comunicato JEDEC non affronta invece il discorso latenze (timings).
Le altre caratteristiche tecniche della proposta includono un nuovo tipo di controllo a ridondanza ciclica (CRC) anche su memoria non ECC, e un passo in avanti per la stabilità del bus DQ, che dovrà adottare un nuovo schema di terminazione spostato sulla VDDQ. Con questo sistema il voltaggio dedicata ai registri d’archiviazione dovrebbe infatti rimanere costante sugli 1,2V, anche riducendo l’appoggio della tensione VDD.
Roberto Pulito