Santa Clara (USA) – Con quasi un anno di ritardo sulle previsioni, Intel e STMicroelectronics sono finalmente pronte a lanciare il proprio attacco alle memorie flash. Le due partner hanno infatti annunciato la distribuzione dei primi campioni di memorie Phase-Change RAM (PRAM), un’alternativa alle memorie flash che combina il principale vantaggio delle memorie non volatili, quello di conservare i dati anche in assenza di corrente, con la velocità tipica delle memorie DRAM.
Intel afferma che i suoi imminenti chip PRAM da 128 Mbit, nome in codice Alverstone , possono fornire velocità di scrittura e lettura fino a 1.000 volte maggiori a quelli delle Flash, una caratteristica che nei dispositivi mobili (PDA, smartphone ecc.) potrebbe ridurre significativamente il crescente divario di performance tra processori e memoria.
Le PRAM promettono di migliorare le memorie flash, sia NOR che NAND, anche in fatto di affidabilità e durata nel tempo: il chipmaker di Santa Clara ha detto che i propri chip sono in grado di sopportare oltre 100 milioni di cicli di lettura/scrittura , un numero almeno 100 volte superiore a quello delle flash, e di garantire la conservazione dei dati per oltre 10 anni .
Intel ha sviluppato la propria implementazione della tecnologia PRAM insieme alla società italo-francese STMicroelectronics, da tempo impegnata nella ricerca di alternative più efficienti alle flash.
Sulle memorie PRAM stanno lavorando anche diversi altri colossi del settore , fra cui IBM , che nel 2006 ha presentato un chip sperimentale basato su una nuova lega germanio-antimonio, e Samsung , che nello stesso anno invece svelato un prototipo da 512 Mbit .
Intel e STMicroelectronics prevedono di avviare la produzione in volumi dei loro chip PRAM entro la fine dell’anno, eventualmente dando vita ad una nuova società che, secondo le indiscrezioni, porterà il nome di Numonyx.
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8 feb 2008