Micron Technology ha annunciato l’avvio della produzione di massa delle prime DRAM al mondo realizzate con la tecnologia 1α (1-alpha). Questo notevole traguardo raggiunto dall’azienda statunitense permetterà di incrementare la densità e le prestazioni, riducendo allo stesso tempo i consumi.
Micron DRAM con nodo 1α
La miniaturizzazione dei chip di memoria RAM dinamica non può seguire lo stesso ritmo dei processori per una serie di motivi. Il primo vincolo è dato dalla dimensione della singola cella formata da un transistor e da un condensatore. Quest’ultimo non può essere troppo piccolo altrimenti non è in grado di conservare il valore del bit. Il secondo vincolo è dato dalla fotolitografia, il processo di fabbricazione dei semiconduttori che permette di ricavare i chip da un wafer di silicio.
Micron ha superato quest’ultimo ostacolo, utilizzando una tecnica nota come “multiple patterning” e descritta in dettaglio sul blog ufficiale del produttore. Mentre i concorrenti sono fermi al nodo 1z, Micron ha usato il nodo 1α.
Il nome del nodo corrisponde al cosiddetto “half-pitch”, ovvero la metà della distanza tra le celle di memoria. Con il nodo 1α, il valore è inferiore a 11 nanometri. La nuova DRAM sarà disponibile con chip da 8 e 16 Gb che consumano il 15% in meno della precedente generazione 1z. L’incremento di densità è invece del 40%.
Micron inizierà è produrre DRAM DDR4 e LPDDR4, ma è già pronta per le future LPDDR5. L’arrivo sul mercato è previsto nei prossimi mesi.
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30 gen 2021