Samsung cucina le nuove memorie 3D per GPU

Samsung ha comunicato di aver messo in moto le macchine delle sue fonderie per la produzione di massa dei chip High Bandwidth Memory di seconda generazione (HBM2), una tecnologia di memoria DRAM a 20 nanometri teoricamente in grado di spingere in maniera sensibile le capacità dei co-processori grafici discreti in ambito videoludico (su PC) e non solo.

Le DRAM HBM2 garantiranno performance velocistiche sette volte superiori rispetto all’attuale limite prestazionale, promette Samsung, con tutti i vantaggi del caso per il computing hi-end in ambito di calcolo parallelo, rendering grafico (quindi videoludico), machine learning, High-Performance Computing (HPC) e supercomputer ibridi CPU-GPU.

Il principio di funzionamento base della tecnologia HBM2 è lo stesso dei chip HBM di prima generazione , vale a dire l’utilizzo di più die di memoria DRAM installati in verticale all’interno di un singolo chip, un collegamento diretto della memoria alla GPU tramite un circuito intermedio (“interposer”) e una banda dati disponibile sensibilmente superiore rispetto ai tradizionali chip GDDR5 prodotti in “2D”. Ridotti anche i consumi energetici.

La prima generazione di HBM era capace di arrivare a un data rate di 128 GBps usando quattro die da 2Gb in un singolo stack/chip da 1 Gigabyte, per un quantitativo di memoria totale che sulle GPU Fury X di AMD , le prime a fare uso della tecnologia di DRAM 3D, arrivava a 4 Gigabyte. HBM2, invece, userà 4 die da 8 Gb in un singolo chip da 4GB, con una banda dati di 256 GBps per stack e la stessa interfaccia a 1024-bit e 1,2V di consumi energetici di HBM.

In concreto, l’impiego di HBM2 permetterà di realizzare GPU consumer o professionali con 16 Gigabyte di memoria e una banda dati massima di 1024 Gigabyte al secondo – il doppio della succitata Fury X e addirittura il triplo della GeForce Titan X.

Polaris e Pascal, le prossime generazioni di GPU rispettivamente di AMD e NVIDIA, dovrebbero entrambe fare uso di chip di memoria HBM2. Per quanto riguarda Samsung, infine, nel corso del 2016 dovrebbe partire anche la produzione di stack da 8 Gigabyte ciascuno – il massimo di potenziale tecnologico proprio della tecnologia HBM2 come standardizzata da JEDEC.

Alfonso Maruccia