La DRAM attuale non è abbastanza veloce da sostenere i nuovi processori multi-core in arrivo. Per questo motivo Samsung sta lavorando da tempo a moduli DDR3 che utilizzano la tecnica chip stacking a tre dimensioni, chiamata TSV (Through Silicon Via). Un approccio che impila gli integrati uno sull’altro per far risparmiare strada al flusso dei dati.
Fino a questo momento cinque sviluppatori si sono uniti al colosso sudcoreano per la ricerca e lo sviluppo delle nuove memorie HMC (Hybrid Memory Cube). Attualmente il consorzio HMC include Micron , Altera, Open-Silicon e Xilinx. Le aziende hanno tutte pari diritto di voto sulle specifiche finali che dovrà avere il prodotto. Elpida dovrebbe essere il prossimo a salire sul carro.
Con l’approccio TSV si risparmia potenza, aumentando al tempo stesso densità ed efficienza della memoria in gioco. Samsung e soci ritengono che un unico cubo tridimensionale possa offrire prestazioni 15 volte maggiori rispetto ad un singolo modulo DDR3 DRAM, utilizzando fino al 70 per cento in meno di energia per bit.
Ovviamente per far lavorare al meglio CPU e GPU con questo nuovo tipo di memoria bisognerà rivedere le configurazioni hardware. Entro il prossimo anno il consorzio HMC si propone di fornire strumenti e documentazione completa per descrivere le specifiche dell’interfaccia e infilare le memorie 3D nelle macchine.
Roberto Pulito
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12 ott 2011