Samsung mette il turbo ai dischi flash

Seoul – Samsung è pronta a fornire ai produttori di notebook un nuovo disco a stato solido (SSD) da 64 GB capace di raddoppiare le performance dell’attuale generazione di dischi flash. Il nuovo modello è anche il primo sul mercato ad integrare nativamente l’interfaccia SATA da 3 Gbps.

Il nuovo drive flash, di cui Samsung ha già distribuito i primi campioni, vanta velocità di 100 MB/s in scrittura e di 120 MB/s in lettura : stando al colosso coreano, si tratta delle performance più elevate oggi fornite da un disco a stato solido. Per confronto, il modello da 64 GB lanciato lo scorso marzo fornisce una velocità di 64 MB al secondo in lettura e 45 MB/s in scrittura.

Gli SSD, che grazie all’impiego di memorie flash hanno sempre fornito tempi di accesso nettamente migliori a quelli degli hard disk, oggi sono in grado di competere con questi ultimi anche nella velocità di trasferimento dei file , inclusi quelli di grandi dimensioni (dove un tempo le memorie flash fornivano performance mediocri).

In scenari d’utilizzo reali, le performance in scrittura sono invece ancora modeste , seppure assai migliori rispetto alle prime generazioni di SSD: la velocità dichiarata dal produttore è infatti quella sequenziale, ottenibile solo nel caso in cui i blocchi di memoria da scrivere siano tutti contigui fra loro. L’efficienza dei dischi flash nella scrittura di blocchi non contigui ( random writes ) cala invece drasticamente, e con certe applicazioni può seriamente inficiare le performance globali del disco. Si veda a tal proposito questo documento tecnico (in PDF) pubblicato su storagesearch.com .

Uno dei massimi punti di forza degli SSD è dato dai ridotti consumi energetici: Samsung sostiene che il suo nuovo disco flash assorbe circa metà dell’energia elettrica richiesta da un tipico hard disk per notebook (0,7 watt contro 1,4) e un decimo di quella assorbita da un hard disk per server da 15mila RPM.

Disponibile in formato da 1,8 pollici e da 2,5 pollici, l’SSD da 64 GB di Samsung è composto da chip NAND flash single-level-cell da 8 gigabit costruiti con un processo a 50 nanometri. Il colosso coreano prevede di avviarne la produzione in volumi all’inizio del prossimo anno.