Il produttore coreano ha annunciato la roadmap per le tecnologie di processo che utilizzerà nei prossimi cinque anni durante il Samsung Foundry Forum 2022 di San Jose. Nel 2027 arriveranno sul mercato i primi chip a 1,4 nanometri. A fine giugno è stata avviata la produzione di massa dei chip a 3 nanometri. L’obiettivo è riconquistare i clienti (Apple, AMD e NVIDIA in particolare) che hanno scelto la rivale TSMC. Qualcomm continua invece la sua collaborazione con Samsung.
Chip a 2 nanometri nel 2025
Samsung Foundry realizza attualmente processori a 4 nanometri (4LPP) con tecnologia FinFET. Fino al 2025 continueranno i miglioramenti di questo processo produttivo. Sono infatti previsti i nodi 4LPP+, 4HPC e 4LPA che garantiranno la maggioranza dei profitti. Contemporaneamente è stata avviata la produzione di chip a 3 nanometri (3GAE) con tecnologia GAAFET (Gate-All-Around FET) che nell’implementazione di Samsung assume il nome proprietario MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET).
La tecnologia GAAFET permetterà di ridurre le dimensioni dei transistor, incrementare le prestazioni e migliorare l’efficienza energetica. In base alla roadmap, la seconda generazione (3GAP) verrà introdotta nel 2024. Dal 2025 sarà invece disponibile una sua versione migliorata (3GAP+). Samsung avvierà contemporaneamente la produzione di chip GAAFET a 2 nanometri. La tecnologia verrà quindi migliorata nel 2026. I primi chip a 1,4 nanometri verranno prodotti nel 2027.
Durante la conferenza sono stati illustrati anche i piani per i settori automotive, 5G, HPC e IoT. Samsung espanderà la capacità produttiva di oltre tre volte entro il 2027. Ciò avverrà nelle attuali fabbriche (Giheung, Hwaseong e Pyeongtaek in Corea del Sud, Austin negli Stati Uniti), oltre che nella nuova fabbrica in costruzione a Taylor in Texas (investimento da 17 miliardi di dollari). Per le aziende “fabless” è sicuramente positiva la presenza sul mercato di Samsung, ovvero di un’alternativa a TSMC, soprattutto visti i possibili scenari geopolitici.
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4 ott 2022