Samsung ha annunciato di aver dato il via alla produzione di massa delle nuove unità SSD con tecnologia V-NAND di sesta generazione (densità 256 GB) che basandosi su un’architettura 3D a 100+ strati (136 per la precisione) con tecnologia Channel Hole Etching spingono ulteriormente verso l’alto l’asticella in termini di performance e capacità di storage. La velocità in fase di scrittura si riduce a 450 microsecondi, in lettura a soli 45 microsecondi.
Samsung: SSD V-NAND di sesta generazione
Se confrontate con la generazione precedente a 90 strati (lanciata solo poco più di un anno fa), le prestazioni risultano incrementate del 10%, mentre il consumo energetico scende del 15%. In un primo momento arriverà sul mercato esclusivamente la versione da 256 GB, mentre entro la fine dell’anno è attesa quella da 512 GB così come la eUFS destinata al segmento mobile.
Come si legge nel comunicato stampa, il focus è incentrato per il futuro sulla realizzazione di SSD da 300+ strati da destinare agli ambiti più svariati: dai dispositivi mobile ai server per il mercato enterprise. Riportiamo di seguito la roadmap che fin qui ha portato allo sviluppo e al miglioramento della tecnologia, dal 2013 a oggi.
- Luglio 2013: prima generazione (24 strati) 128 GB MLC V-NAND;
- agosto 2013: prima generazione 128 GB MLC V-NAND 960 GB SSD;
- agosto 2014: seconda generazione (32 strati) 128 GB 3-bit V-NAND;
- settembre 2014: seconda generazione V-NAND SSD;
- agosto 2015: terza generazione (48 strati) 256 GB 3-bit V-NAND;
- settembre 2015: terza generazione V-NAND SSD “850 EVO” e “950 PRO”;
- dicembre 2016: quarta generazione (64 strati) 256 GB 3-bit V-NAND;
- gennaio 2017: quarta generazione V-NAND SSD;
- gennaio 2018: quarta generazione 512 GB V-NAND 30.72 TB SAS SSD;
- maggio 2018: quinta generazione (9* strati) 256 GB 3-bit V-NAND;
- giugno 2018: quinta generazione V-NAND SSD;
- giugno 2019: sesta generazione (1** strati) 256 GB 3-bit V-NAND;
- luglio 2019: sesta generazione V-NAND SSD.
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6 ago 2019