Dopo aver annunciato memorie NAND flash con circuiti a 30 nanometri, Samsung è ora pronta ad estendere questa tecnologia di processo anche alle sue memorie DDR3 verdi .
Il colosso coreano afferma di essere il primo ad aver prodotto, seppure al momento solo in quantità limitate, moduli di memoria DDR3 con tecnologia di processo a 30 nm. Un traguardo che secondo il presidente della divisione Memorie di Samsung, Soo-In Cho, “dovrebbe mantenerci nella posizione più competitiva del mercato”.
“La nostra tecnologia di processo a 30 nm fornirà agli utenti le più avanzate memorie DDR3 a basso consumo oggi disponibili sul mercato e, di conseguenza, le più efficienti soluzioni DRAM per i dispositivi elettronici di consumo e i server”, ha continuato il dirigente coreano. Tra i dispositivi consumer Samsung include netbook, notebook e PC desktop.
Rispetto alla precedente tecnologia produttiva a 40 nm, Samsung afferma che quella a 30 nm le consente di incrementare la produttività del 60% e di raddoppiare la resa per wafer rispetto ai processi da 50 e 60 nm: ciò dovrebbe tradursi in prezzi ancora più bassi per l’utente finale. Le nuove memorie DDR3 di Samsung, prodotte sia nella versione a 1,5 volt che in quella a 1,35 volt, promettono inoltre di ridurre ulteriormente i consumi: quelle destinate ai computer portatili assorbiranno, secondo l’azienda, circa 3 watt l’ora, “Solo il 3% del consumo complessivo di un tipico notebook”, dichiara Samsung.
Samsung avvierà la produzione in volumi delle nuove memorie DDR3 a 30 nm nella seconda parte dell’anno. Per maggiori informazioni sulla linea di memorie Green DDR3 del produttore coreano è possibile visitare questa pagina .
Alessandro Del Rosso
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2 feb 2010