Roma – Dopo le prime anticipazioni che risalgono al 2013, Samsung ha deciso di puntare decisamente sulla tecnologia tridimensionale dei transistor per i suoi dischi a stato solido: la nuova linea 850 EVO basa tutto sulle qualità dei chip V-NAND (TLC) per garantire prestazioni unite una alta densità di storage. Questo tipo di tecnologia è per ora un’esclusiva di Samsung: fatto che dovrebbe garantire a Seoul un certo vantaggio competitivo grazie a costi più contenuti e un’offerta verticale completa che comprende anche i controller di memoria.
L’essenza della tecnologia Samsung altro non è che l’idea di abbinare più informazioni sulla stessa area del chip: non solo aumentando fino a tre bit per cella (TLC) il numero delle informazioni conservate, come già era stato fatto nel 2012 con la linea 840, ma anche sovrapponendo diverse celle in verticale (da cui la definizione V-NAND: Vertical NAND) per aumentare la densità di archiviazione. Samsung non è all’avanguardia per quanto attiene la miniaturizzazione, mentre la concorrenza già veleggia verso i 20 anche nel settore enterprise , ma puntare sui chip TLC dovrebbe garantire di tenere sotto controllo i costi (di produzione e di listino finale) e tenere le prestazioni su un buon livello.
Il principale dubbio sulla tecnologia TLC è la sua longevità: i dischi a stato solido sono “consumati” dall’utilizzo, visto che ogni volta che un settore immagazzina le informazioni la carica elettrica in transito determina un impoverimento della prospettiva di vita della cella, e in molti studiano possibili soluzioni per ridurre gli effetti di questo fenomeno. Le verifiche sul campo, tuttavia, dicono che quasi tutti i prodotti in circolazione sono in grado di superare agevolmente i limiti dichiarati dalle stesse case costruttrici : i test di The Tech Report dicono che in alcuni casi il limite fisico reale dei prodotti potrebbe arrivare a 2 petabyte di dati scritti sulle celle, l’equivalente di almeno 10 anni di vita per un utilizzo comune delle unità.
I risultati sul piano prestazionale paiono interessanti: le prime recensioni dicono che i nuovi EVO, che costituiscono l’offerta economica tra gli SSD Samsung, sono decisamente migliorati rispetto ai predecessori. Oltre alle memorie dovrebbe essere stato aggiornato anche il chip di controllo , che nel caso del modello da 1 terabyte è lo stesso triple-core del modello Pro (MEX) mentre in tutti i tagli minori è un nuovo dual-core (MGX): entrambi sono prodotti direttamente da Samsung stessa, e grazie alla logica di casa si possono garantire cifratura AES da 256-bit senza difficoltà così come ogni altra funzione tipica degli SSD quale garbage collection , TRIM ecc.
Samsung non ha ancora ufficializzato i prezzi dei nuovi 850 EVO, ma ha anticipato che saranno in vendita da questo mese in Asia, Europa e Nordamerica. I tagli proposti partono da 128GB, passando da 250, 500 fino a 1 terabyte. La garanzia passa dai 3 anni della generazione precedente a 5.
Luca Annunziata
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10 dic 2014