Toshiba sostiene di aver trovato il “Graal” delle memorie magnetiche non-volatili (MRAM o STT-RAM), un processo di registrazione dei bit digitali tramite magnetizzazione che richiede una quantità molto inferiore di energia elettrica rispetto alle memorie statiche usate attualmente (SRAM).
La multinazionale nipponica e le altre aziende di settore lavorano da tempo per raffinare la tecnologia delle MRAM, con la speranza di adottare i nuovi chip di memoria in dispositivi di storage e come alternativa alle SRAM in funzione di cache da montare sui gadget mobile.
Le MRAM registrano l’orientamento magnetico dei singoli bit piuttosto che il loro “stato” (1 o 0) all’interno di una cella di memoria, e il principale problema della tecnologia è sin qui stato la necessità di una maggiore quantità di energia per compiere l’operazione rispetto alle RAM statiche.
La soluzione di Toshiba? Adattare il principio del Perpendicular Magnetic Recording usato sugli HDD alle MRAM, con un orientamento del campo magnetico “perpendicolare” rispetto alla base del transistor. Il risultato, dice ancora Toshiba, è che è possibile produrre transistor di piccole dimensioni (30 nm) senza rischi di perdite di corrente e con un 90 per cento di consumo energetico in meno in confronto alle SRAM.
Alfonso Maruccia
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17 dic 2012