Nel corso degli anni l'evoluzione del mondo dei semiconduttori no ha conosciuto rallentamenti. Processori sempre più performanti e memorie sempre più capienti ci permettono oggi di avere tra le mani delle macchine dalle potenze di calcolo enormi, ma questo non sarebbe stato possibile se, assieme alle architetture, non si fosse evoluto anche il processo produttivo.
Grazie a questa scala temporale possiamo vedere tutta l'evoluzione del transistor Intel dal 2003 ad oggi. Come possiamo vedere dai 90nm fino ai recenti 32nm il transitor ha sempre subito delle variazioni delle sue specifiche tecniche oltre ovviamente alla riduzione delle dimensione, ma mai si era vista una rivoluzione così completa come quella di oggi.
Oltre al nuovo processo produttivo che permette la miniaturizzazione dei componenti, vediamo subentrare un nuovo tipo di transistor che per la prima volta lascia da parte il classico sviluppo planare che abbiamo visto fino ad ora introducendo uno sviluppo in 3D grazie al Tri-Gate transitor.
Da questa immagine possiamo vedere come si presenta un processore costruito con la vecchia tecnologia a 32nm planare e con quella nuova a 22nm tridimensionale.
La slide Intel mostrano quali sono i principali benefici di questa nuova architettura. A fronte di un costo per la produzione maggiorato rispetto alla generazione precedente del 2-3 per cento, secondo i test svolti da Intel con basse tensioni di alimentazioni fino ad 1V le performance del transistor sono aumentate del 37 per cento a bassi voltaggi e sono stati constatati cali di potenza assorbita maggiori del 50 per cento. A questi dati si accompagna una velocità maggiore di accensione e spegnimento del transistor che garantiscono un segnale più pulito e performance maggiori. Tutte queste caratteristiche e questi ottimi dati rilevati hanno però valenza qualora la tensione di alimentazione non sia troppo alta, altrimenti tutti gli ottimi numeri si livellano lentamente con la precedente generazione.