Santa Clara (USA) – Con la nuova tecnologia denominata “3 Volt Synchronous StrataFlash”, Intel promette una nuova generazione di memorie flash, le stesse utilizzate su hand held e telefoni cellulari, fino a quattro volte più veloci di quelle attuali.
Questa tecnologia può rivestire un ruolo cruciale nel rendere telefoni di nuova generazione e palmari pronti per il 3G, la nuova era delle reti mobili che vedrà l’arrivo di software più sofisticati e contenuti audio/video più ricchi e pesanti da gestire sui piccoli dispositivi.
Questa mossa, che si va ad inserire nell’aggressiva strategia di Intel per la conquista del mercato wireless, darà un’ulteriore spinta anche all’entrata del linguaggio Java sui telefoni cellulari di prossima generazione.
Intel ha spiegato che le nuove memorie StrataFlash, arrivate alla loro terza generazione, sono più veloci grazie al fatto che, per leggere i dati, utilizzano una modalità di trasferimento sincrono: questo permette loro di leggere stream di dati in modo continuo e raggiungere transfer rate di 92 MB/s.
Il big di Santa Clara sostiene che le nuove prestazioni permesse dalla tecnologia sincrona possono eliminare la necessità, sulla maggior parte dei dispositivi che fanno uso di memorie flash, di caricare il codice delle applicazioni in esecuzione sulle più veloci RAM: le applicazioni potranno ora essere lanciate direttamente dalla memoria flash ROM, un fattore che aiuterà anche a ridurre l’energia consumata ed il costo della componentistica di hand held e cellulari.
Le nuove memorie StrataFlash verranno offerte in moduli da 64 MB fino a 256 MB ad un prezzo che varierà fra i 10$ ed i 35$.
Ti potrebbe interessare
28 set 2001