Sunnyvale (USA) – Mentre all’Intel Developer Forum la sua rivale è impegnata ad annunciare novità a raffica nel campo dei microchip e dell’hardware per il PC, quatta quatta AMD proclama di aver costruito il transistor più piccolo al mondo: la sua dimensione – proclama AMD – è sei volte inferiore a quella del più piccolo transistor CMOS in produzione.
Il transistor di AMD ha anche un’altra particolarità: quella di adottare due gate (il conduttore attraverso cui passa l’energia elettrica) al posto di quello singolo dei tradizionali transistor, una caratteristica che gli permette di far passare una quantità doppia di energia e, di conseguenza, incrementare le prestazioni riducendo nel contempo le dispersioni di corrente. Ognuno dei due gate ha una dimensione pari a 10 nanometri.
La tecnologia utilizzata da AMD, denominata Fin Field Effect Transistor (Fin-Fet) è la stessa adottata recentemente da IBM per produrre la prima memoria RAM statica basata su transistor a doppio gate. Come IBM, HP e Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC), anche AMD collabora a stretto contatto con l’Università di Berkeley, l’istituto che possiede il maggior numero di brevetti su questa tecnologia.
I transistor multigate, su cui sta lavorando anche Intel, sembrano rappresentare la soluzione più gettonata dai chipmaker per incrementare, nel prossimo futuro, la densità dei chip. Con un transistor delle dimensioni di quello costruito da AMD sarebbe ad esempio possibile mettere 1 miliardo di transistor nello stesso spazio oggi occupato da 100 milioni.
AMD sostiene che la tecnologia Fin-Fet rappresenta un importante punto d’unione fra le attuali tecnologie CMOS e le future nanotecnologie basate su molecole organiche, ma non è ancora in grado di prevedere con precisione quando inizierà ad adottare questa tecnologia nella produzione di processori: le stime parlano di un periodo di tempo compreso fra i 4 e i 10 anni.
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11 set 2002