Singapore – Alcuni ricercatori della National University e dell’ Institute of Microelectronics di Singapore hanno creato, tra i primi al mondo, una memoria DRAM fatta di uno speciale tipo di plastica.
In precedenza, lo stesso gruppo di scienziati ha utilizzato il medesimo polimero per costruire memorie di tipo flash e WORM (Write Once, Read Many). A differenza delle memorie basate su chip, che immagazzinano le informazioni sotto forma di cariche elettriche, nelle memorie “di plastica” i segnali “0” e “1” vengono memorizzati come differenti livelli di conduttività . I ricercatori hanno messo a punto un polimero che cambia il proprio stato di conduttività a seconda della tensione elettrica ad esso applicata: attraverso un complesso sistema di isolanti ed elettrodi, queste memorie possono leggere e scrivere i dati in modo particolarmente efficiente.
Tra i vantaggi apportati dalle memorie basate su polimeri c’è il minor consumo di energia e, soprattutto, una maggiore densità di memorizzazione : questo consentirà di produrre memorie più capienti a costi più ridotti di quelli necessari per evolvere le attuali tecnologie basate su silicio.
I polimeri rappresentano una grande promessa un po’ in tutti i settori dell’elettronica, ma non è l’unica tecnologia candidata a rimpiazzare il silicio. Tra le alternative ci sono, ad esempio, i nanotubi in carbonio : questi sono stati utilizzati da una società inglese, Nantero , per costruire chip di memoria non volatile basati sulla propria tecnologia NRAM . L’azienda ha annunciato proprio in questi giorni l’intenzione di commercializzare i primi moduli di memoria basati su nanotubi in carbonio già a partire dal prossimo anno. Secondo Nantero, la tecnologia NRAM combina la velocità delle memorie SRAM, la capacità di conservare le informazioni delle flash e la densità delle DRAM.
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14 apr 2006