Samsung lancia le super flash

Seoul (Corea del Sud) – Samsung ha avviato la produzione in volumi di una nuova generazione di memorie flash, le stesse utilizzate sui dispositivi mobili e negli hard disk a stato solido, che raddoppiano densità e capacità.

I nuovi chip, costruiti con un processo a 60 nanometri, hanno una capacità di 2 gigabit e una velocità in scrittura di 17 MB al secondo, contro i 9,3 MB/s della precedente generazione da 70 nm. La velocità in lettura rimane di 108 MB/s.

Le nuove memorie flash adottano la tecnologia OneNAND di Samsung, che secondo l’azienda è in grado di combinare i vantaggi dell’architettura di memoria NAND con quella NOR: in altre parole, forniscono performance più bilanciate in lettura e scrittura. L’altra peculiarità delle memorie OneNAND è quella di poter essere collegate in modo tale da moltiplicare la velocità massima di trasferimento dati: ad esempio, combinando 8 chip è possibile ottenere una velocità in scrittura fino a 136 MB/s.

I chip flash NOR sono primariamente utilizzati come memoria di sistema in telefoni cellulari, PDA e in altri dispositivi embedded, dove in genere hanno il compito di immagazzinare dati personali, fotografie, musica e video. I vantaggi dell’architettura NOR sono un’elevata affidabilità nel tempo ed un veloce accesso in lettura, tipicamente intorno ai 200-300 MB/s. Le memorie NAND, che hanno in genere densità più elevate e migliori velocità in scrittura (tipicamente di 15-20 MB/s), si sono invece affermate come lo standard per le memory card ed altri dispositivi di memoria esterni.

I chip OneNAND di Samsung, proprio perché ereditano le caratteristiche di entrambe le tipologie di memorie flash, si rivolgono un po’ a tutti i segmenti del mercato: da quello dei telefoni cellulari a quello dei dischi a stato solido per PC e notebook.